PEROVSKITE PRODUCTION PROCESS
The invention relates to a process for producing a layer comprising a first crystalline A/M/X material, which first crystalline A/M/X material comprises a crystalline compound of formula [A]a[M]b[X]c, wherein: [M] comprises one or more M cations, which one or more M cations are metal or metalloid ca...
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| container_end_page | |
|---|---|
| container_issue | |
| container_start_page | |
| container_title | |
| container_volume | |
| creator | HOLZHEY, Philippe Jurgen SNAITH, Henry James GALLANT, Benjamin Mark |
| description | The invention relates to a process for producing a layer comprising a first crystalline A/M/X material, which first crystalline A/M/X material comprises a crystalline compound of formula [A]a[M]b[X]c, wherein: [M] comprises one or more M cations, which one or more M cations are metal or metalloid cations; [A] comprises one or more A cations, wherein the one or more A cations comprise a first cation A' and a second cation A'', wherein the second cation A'' is different from the first cation A'; [X] comprises one or more halide anions; a is a number from 1 to 7; b is a number from 1 to 6; and c is a number from 1 to 19; and wherein the compound comprises layers and/or chains of corner-sharing MX6 octahedra separated by the second cation A''; wherein the process comprises disposing on a substrate a precursor composition comprising: (a) a first precursor compound comprising the one or more M cations, which one or more M cations are metal or metalloid cations; (b) a second precursor compound comprising the first cation A' and (c) a solvent, wherein the solvent comprises: (i) a compound which provides the second cation A''; and (ii) an organic solvent.
L'invention concerne un processus destiné à produire une couche comportant un premier matériau cristallin A/M/X, ledit premier matériau cristallin A/M/X comportant un composé cristallin de formule [A]a[M]b[X]c : [M] comportant un ou plusieurs cations M, ledit ou lesdits cations M étant des cations métal ou metalloïde; [A] comportant un ou plusieurs cations A, le ou les cations A comprenant un premier cation A' et un second cation A'', le second cation A'' étant différent du premier cation A'; [X] comprenant un ou plusieurs anions halogénure; a étant un nombre de 1 à 7; b étant un nombre de 1 à 6; et c étant un nombre de 1 à 19; et le composé comportant des couches et/ou des chaînes d'octaèdres MX6 ayant des sommets en commun, séparés par le second cation A''; le processus comporte le fait de disposer sur un substrat une composition de précurseurs comportant: (a) un premier composé précurseur comportant le ou les cations M, ledit ou lesdits cations M étant des cations métal ou metalloïde; (b) un second composé précurseur comportant le premier cation A' et (c) un solvant, le solvant comportant: (i) un composé qui fournit le second cation A''; et (ii) un solvant organique. |
| format | Patent |
| fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_WO2023047116A1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>WO2023047116A1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_WO2023047116A13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZJANcA3yDwv29gxxVQgI8ncJdQ7x9PcDMZ1dg4N5GFjTEnOKU3mhNDeDsptriLOHbmpBfnxqcUFicmpeakl8uL-RgZGxgYm5oaGZo6ExcaoAQZgiWg</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>PEROVSKITE PRODUCTION PROCESS</title><source>esp@cenet</source><creator>HOLZHEY, Philippe Jurgen ; SNAITH, Henry James ; GALLANT, Benjamin Mark</creator><creatorcontrib>HOLZHEY, Philippe Jurgen ; SNAITH, Henry James ; GALLANT, Benjamin Mark</creatorcontrib><description>The invention relates to a process for producing a layer comprising a first crystalline A/M/X material, which first crystalline A/M/X material comprises a crystalline compound of formula [A]a[M]b[X]c, wherein: [M] comprises one or more M cations, which one or more M cations are metal or metalloid cations; [A] comprises one or more A cations, wherein the one or more A cations comprise a first cation A' and a second cation A'', wherein the second cation A'' is different from the first cation A'; [X] comprises one or more halide anions; a is a number from 1 to 7; b is a number from 1 to 6; and c is a number from 1 to 19; and wherein the compound comprises layers and/or chains of corner-sharing MX6 octahedra separated by the second cation A''; wherein the process comprises disposing on a substrate a precursor composition comprising: (a) a first precursor compound comprising the one or more M cations, which one or more M cations are metal or metalloid cations; (b) a second precursor compound comprising the first cation A' and (c) a solvent, wherein the solvent comprises: (i) a compound which provides the second cation A''; and (ii) an organic solvent.
L'invention concerne un processus destiné à produire une couche comportant un premier matériau cristallin A/M/X, ledit premier matériau cristallin A/M/X comportant un composé cristallin de formule [A]a[M]b[X]c : [M] comportant un ou plusieurs cations M, ledit ou lesdits cations M étant des cations métal ou metalloïde; [A] comportant un ou plusieurs cations A, le ou les cations A comprenant un premier cation A' et un second cation A'', le second cation A'' étant différent du premier cation A'; [X] comprenant un ou plusieurs anions halogénure; a étant un nombre de 1 à 7; b étant un nombre de 1 à 6; et c étant un nombre de 1 à 19; et le composé comportant des couches et/ou des chaînes d'octaèdres MX6 ayant des sommets en commun, séparés par le second cation A''; le processus comporte le fait de disposer sur un substrat une composition de précurseurs comportant: (a) un premier composé précurseur comportant le ou les cations M, ledit ou lesdits cations M étant des cations métal ou metalloïde; (b) un second composé précurseur comportant le premier cation A' et (c) un solvant, le solvant comportant: (i) un composé qui fournit le second cation A''; et (ii) un solvant organique.</description><language>eng ; fre</language><creationdate>2023</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20230330&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2023047116A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20230330&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2023047116A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>HOLZHEY, Philippe Jurgen</creatorcontrib><creatorcontrib>SNAITH, Henry James</creatorcontrib><creatorcontrib>GALLANT, Benjamin Mark</creatorcontrib><title>PEROVSKITE PRODUCTION PROCESS</title><description>The invention relates to a process for producing a layer comprising a first crystalline A/M/X material, which first crystalline A/M/X material comprises a crystalline compound of formula [A]a[M]b[X]c, wherein: [M] comprises one or more M cations, which one or more M cations are metal or metalloid cations; [A] comprises one or more A cations, wherein the one or more A cations comprise a first cation A' and a second cation A'', wherein the second cation A'' is different from the first cation A'; [X] comprises one or more halide anions; a is a number from 1 to 7; b is a number from 1 to 6; and c is a number from 1 to 19; and wherein the compound comprises layers and/or chains of corner-sharing MX6 octahedra separated by the second cation A''; wherein the process comprises disposing on a substrate a precursor composition comprising: (a) a first precursor compound comprising the one or more M cations, which one or more M cations are metal or metalloid cations; (b) a second precursor compound comprising the first cation A' and (c) a solvent, wherein the solvent comprises: (i) a compound which provides the second cation A''; and (ii) an organic solvent.
L'invention concerne un processus destiné à produire une couche comportant un premier matériau cristallin A/M/X, ledit premier matériau cristallin A/M/X comportant un composé cristallin de formule [A]a[M]b[X]c : [M] comportant un ou plusieurs cations M, ledit ou lesdits cations M étant des cations métal ou metalloïde; [A] comportant un ou plusieurs cations A, le ou les cations A comprenant un premier cation A' et un second cation A'', le second cation A'' étant différent du premier cation A'; [X] comprenant un ou plusieurs anions halogénure; a étant un nombre de 1 à 7; b étant un nombre de 1 à 6; et c étant un nombre de 1 à 19; et le composé comportant des couches et/ou des chaînes d'octaèdres MX6 ayant des sommets en commun, séparés par le second cation A''; le processus comporte le fait de disposer sur un substrat une composition de précurseurs comportant: (a) un premier composé précurseur comportant le ou les cations M, ledit ou lesdits cations M étant des cations métal ou metalloïde; (b) un second composé précurseur comportant le premier cation A' et (c) un solvant, le solvant comportant: (i) un composé qui fournit le second cation A''; et (ii) un solvant organique.</description><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2023</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZJANcA3yDwv29gxxVQgI8ncJdQ7x9PcDMZ1dg4N5GFjTEnOKU3mhNDeDsptriLOHbmpBfnxqcUFicmpeakl8uL-RgZGxgYm5oaGZo6ExcaoAQZgiWg</recordid><startdate>20230330</startdate><enddate>20230330</enddate><creator>HOLZHEY, Philippe Jurgen</creator><creator>SNAITH, Henry James</creator><creator>GALLANT, Benjamin Mark</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20230330</creationdate><title>PEROVSKITE PRODUCTION PROCESS</title><author>HOLZHEY, Philippe Jurgen ; SNAITH, Henry James ; GALLANT, Benjamin Mark</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2023047116A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2023</creationdate><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>HOLZHEY, Philippe Jurgen</creatorcontrib><creatorcontrib>SNAITH, Henry James</creatorcontrib><creatorcontrib>GALLANT, Benjamin Mark</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>HOLZHEY, Philippe Jurgen</au><au>SNAITH, Henry James</au><au>GALLANT, Benjamin Mark</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>PEROVSKITE PRODUCTION PROCESS</title><date>2023-03-30</date><risdate>2023</risdate><abstract>The invention relates to a process for producing a layer comprising a first crystalline A/M/X material, which first crystalline A/M/X material comprises a crystalline compound of formula [A]a[M]b[X]c, wherein: [M] comprises one or more M cations, which one or more M cations are metal or metalloid cations; [A] comprises one or more A cations, wherein the one or more A cations comprise a first cation A' and a second cation A'', wherein the second cation A'' is different from the first cation A'; [X] comprises one or more halide anions; a is a number from 1 to 7; b is a number from 1 to 6; and c is a number from 1 to 19; and wherein the compound comprises layers and/or chains of corner-sharing MX6 octahedra separated by the second cation A''; wherein the process comprises disposing on a substrate a precursor composition comprising: (a) a first precursor compound comprising the one or more M cations, which one or more M cations are metal or metalloid cations; (b) a second precursor compound comprising the first cation A' and (c) a solvent, wherein the solvent comprises: (i) a compound which provides the second cation A''; and (ii) an organic solvent.
L'invention concerne un processus destiné à produire une couche comportant un premier matériau cristallin A/M/X, ledit premier matériau cristallin A/M/X comportant un composé cristallin de formule [A]a[M]b[X]c : [M] comportant un ou plusieurs cations M, ledit ou lesdits cations M étant des cations métal ou metalloïde; [A] comportant un ou plusieurs cations A, le ou les cations A comprenant un premier cation A' et un second cation A'', le second cation A'' étant différent du premier cation A'; [X] comprenant un ou plusieurs anions halogénure; a étant un nombre de 1 à 7; b étant un nombre de 1 à 6; et c étant un nombre de 1 à 19; et le composé comportant des couches et/ou des chaînes d'octaèdres MX6 ayant des sommets en commun, séparés par le second cation A''; le processus comporte le fait de disposer sur un substrat une composition de précurseurs comportant: (a) un premier composé précurseur comportant le ou les cations M, ledit ou lesdits cations M étant des cations métal ou metalloïde; (b) un second composé précurseur comportant le premier cation A' et (c) un solvant, le solvant comportant: (i) un composé qui fournit le second cation A''; et (ii) un solvant organique.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
| fulltext | fulltext_linktorsrc |
| identifier | |
| ispartof | |
| issn | |
| language | eng ; fre |
| recordid | cdi_epo_espacenet_WO2023047116A1 |
| source | esp@cenet |
| title | PEROVSKITE PRODUCTION PROCESS |
| url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2024-12-25T07%3A38%3A57IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=HOLZHEY,%20Philippe%20Jurgen&rft.date=2023-03-30&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EWO2023047116A1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |