SYNTHESIS OF FLUOROALKYL TIN PRECURSORS
The invention provides certain fluorinated alkyl tin compounds which are believed to be useful in the vapor deposition of tin-containing films onto the surface of microelectronic device substrates. Also provided are processes for the preparation of the precursor compounds and processes for the use o...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | The invention provides certain fluorinated alkyl tin compounds which are believed to be useful in the vapor deposition of tin-containing films onto the surface of microelectronic device substrates. Also provided are processes for the preparation of the precursor compounds and processes for the use of such compounds in the deposition of tin-containing films onto microelectronic device substrates.
L'invention concerne certains composés d'alkyle étain fluorés qui sont supposés être utiles dans le dépôt en phase vapeur de films contenant de l'étain sur la surface de substrats de dispositifs microélectroniques. L'invention concerne également des procédés pour la préparation des composés précurseurs et des procédés pour l'utilisation de tels composés dans le dépôt de films contenant de l'étain sur des substrats de dispositifs microélectroniques. |
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