TECHNIQUES AND APPARATUSES FOR PROCESSING CHALCOGENIDES

A layer of a chalcogenide material can be etched by providing a wafer having a layer of the chalcogenide material to a processing chamber, heating the wafer to a first temperature, modifying a surface of the layer of chalcogenide material by flowing a first chemical species comprising a fluoride or a chloride onto the wafer to create a modified layer of chalcogenide material while the wafer is at the first temperature, and removing the modified layer of chalcogenide material, without using a plasma, by flowing a second chemical species comprising a compound with a center atom that is aluminum, boron, silicon, or germanium, and with at least one chlorine, onto the wafer. Une couche d'un matériau de chalcogénure peut être gravée en fournissant une tranche présentant une couche du matériau de chalcogénure à une chambre de traitement, en chauffant la tranche à une première température, en modifiant une surface de la couche de matériau de chalcogénure par écoulement d'une première espèce chimique comprenant un fluorure ou un chlorure sur la tranche pour créer une couche modifiée de matériau de chalcogénure tandis que la tranche est à la première température, et en éliminant la couche modifiée de matériau de chalcogénure sans utiliser de plasma par écoulement d'une seconde espèce chimique comprenant un composé avec un atome central qui est de l'aluminium, du bore, du silicium ou du germanium, et avec au moins un chlore, sur la tranche.