SHOWERHEAD TEMPERATURE BASED DEPOSITION TIME COMPENSATION FOR THICKNESS TRENDING IN PECVD DEPOSITION SYSTEM
A controller for a processing chamber configured to perform a deposition process on a substrate comprises a temperature monitor configured to obtain a temperature of a showerhead of the processing chamber, a deposition time determiner configured to determine an optimized deposition time based on the...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre |
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| creator | MULLENAUX, Sky HONG, Tu SHEN, Wenjia KANG, Hu KOLLRACK, Marc WANG, Dong |
| description | A controller for a processing chamber configured to perform a deposition process on a substrate comprises a temperature monitor configured to obtain a temperature of a showerhead of the processing chamber, a deposition time determiner configured to determine an optimized deposition time based on the obtained temperature of the showerhead and data that correlates the temperature of the showerhead with at least one of the optimized deposition time, a deposition thickness, and a deposition rate, and a deposition optimizer configured to perform a deposition step on the substrate based on the determined optimized deposition time.
Un dispositif de commande, destiné à une chambre de traitement conçue pour effectuer un traitement de dépôt sur un substrat, comprend un dispositif de surveillance de température conçu pour obtenir une température d'une pomme d'arrosoir de la chambre de traitement, un dispositif de détermination de temps de dépôt conçu pour déterminer un temps de dépôt optimisé sur la base de la température obtenue de la pomme d'arrosoir et de données mettant en corrélation la température de la pomme d'arrosoir avec le temps de dépôt optimisé et/ou une épaisseur de dépôt et/ou un taux de dépôt, et un optimiseur de dépôt conçu pour effectuer une étape de dépôt sur le substrat sur la base du temps de dépôt optimisé déterminé. |
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Un dispositif de commande, destiné à une chambre de traitement conçue pour effectuer un traitement de dépôt sur un substrat, comprend un dispositif de surveillance de température conçu pour obtenir une température d'une pomme d'arrosoir de la chambre de traitement, un dispositif de détermination de temps de dépôt conçu pour déterminer un temps de dépôt optimisé sur la base de la température obtenue de la pomme d'arrosoir et de données mettant en corrélation la température de la pomme d'arrosoir avec le temps de dépôt optimisé et/ou une épaisseur de dépôt et/ou un taux de dépôt, et un optimiseur de dépôt conçu pour effectuer une étape de dépôt sur le substrat sur la base du temps de dépôt optimisé déterminé.</description><language>eng ; fre</language><subject>CHEMICAL SURFACE TREATMENT ; CHEMISTRY ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL ; COATING METALLIC MATERIAL ; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL ; METALLURGY ; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><creationdate>2023</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20230126&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2023003768A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20230126&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2023003768A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>MULLENAUX, Sky</creatorcontrib><creatorcontrib>HONG, Tu</creatorcontrib><creatorcontrib>SHEN, Wenjia</creatorcontrib><creatorcontrib>KANG, Hu</creatorcontrib><creatorcontrib>KOLLRACK, Marc</creatorcontrib><creatorcontrib>WANG, Dong</creatorcontrib><title>SHOWERHEAD TEMPERATURE BASED DEPOSITION TIME COMPENSATION FOR THICKNESS TRENDING IN PECVD DEPOSITION SYSTEM</title><description>A controller for a processing chamber configured to perform a deposition process on a substrate comprises a temperature monitor configured to obtain a temperature of a showerhead of the processing chamber, a deposition time determiner configured to determine an optimized deposition time based on the obtained temperature of the showerhead and data that correlates the temperature of the showerhead with at least one of the optimized deposition time, a deposition thickness, and a deposition rate, and a deposition optimizer configured to perform a deposition step on the substrate based on the determined optimized deposition time.
Un dispositif de commande, destiné à une chambre de traitement conçue pour effectuer un traitement de dépôt sur un substrat, comprend un dispositif de surveillance de température conçu pour obtenir une température d'une pomme d'arrosoir de la chambre de traitement, un dispositif de détermination de temps de dépôt conçu pour déterminer un temps de dépôt optimisé sur la base de la température obtenue de la pomme d'arrosoir et de données mettant en corrélation la température de la pomme d'arrosoir avec le temps de dépôt optimisé et/ou une épaisseur de dépôt et/ou un taux de dépôt, et un optimiseur de dépôt conçu pour effectuer une étape de dépôt sur le substrat sur la base du temps de dépôt optimisé déterminé.</description><subject>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</subject><subject>COATING METALLIC MATERIAL</subject><subject>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</subject><subject>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2023</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNjLEKwjAURbM4iPoPD5yF2oJ2jcmrCdIk5D0tTqVIXBQt1P_HIi5uTgcu556puJHxDUaDUgNjHTBKPkaEnSTUoDF4smy9A7Y1gvKj4Uh-lspHYGPVwSERcESnrduDdRBQnX7OdKYxPheTa3cf0uLLmVhWyMqsUv9s09B3l_RIr7bxeZYXWVZsN6VcF_9Zb_AgN-4</recordid><startdate>20230126</startdate><enddate>20230126</enddate><creator>MULLENAUX, Sky</creator><creator>HONG, Tu</creator><creator>SHEN, Wenjia</creator><creator>KANG, Hu</creator><creator>KOLLRACK, Marc</creator><creator>WANG, Dong</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20230126</creationdate><title>SHOWERHEAD TEMPERATURE BASED DEPOSITION TIME COMPENSATION FOR THICKNESS TRENDING IN PECVD DEPOSITION SYSTEM</title><author>MULLENAUX, Sky ; HONG, Tu ; SHEN, Wenjia ; KANG, Hu ; KOLLRACK, Marc ; WANG, Dong</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2023003768A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2023</creationdate><topic>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</topic><topic>COATING METALLIC MATERIAL</topic><topic>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</topic><topic>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>MULLENAUX, Sky</creatorcontrib><creatorcontrib>HONG, Tu</creatorcontrib><creatorcontrib>SHEN, Wenjia</creatorcontrib><creatorcontrib>KANG, Hu</creatorcontrib><creatorcontrib>KOLLRACK, Marc</creatorcontrib><creatorcontrib>WANG, Dong</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>MULLENAUX, Sky</au><au>HONG, Tu</au><au>SHEN, Wenjia</au><au>KANG, Hu</au><au>KOLLRACK, Marc</au><au>WANG, Dong</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>SHOWERHEAD TEMPERATURE BASED DEPOSITION TIME COMPENSATION FOR THICKNESS TRENDING IN PECVD DEPOSITION SYSTEM</title><date>2023-01-26</date><risdate>2023</risdate><abstract>A controller for a processing chamber configured to perform a deposition process on a substrate comprises a temperature monitor configured to obtain a temperature of a showerhead of the processing chamber, a deposition time determiner configured to determine an optimized deposition time based on the obtained temperature of the showerhead and data that correlates the temperature of the showerhead with at least one of the optimized deposition time, a deposition thickness, and a deposition rate, and a deposition optimizer configured to perform a deposition step on the substrate based on the determined optimized deposition time.
Un dispositif de commande, destiné à une chambre de traitement conçue pour effectuer un traitement de dépôt sur un substrat, comprend un dispositif de surveillance de température conçu pour obtenir une température d'une pomme d'arrosoir de la chambre de traitement, un dispositif de détermination de temps de dépôt conçu pour déterminer un temps de dépôt optimisé sur la base de la température obtenue de la pomme d'arrosoir et de données mettant en corrélation la température de la pomme d'arrosoir avec le temps de dépôt optimisé et/ou une épaisseur de dépôt et/ou un taux de dépôt, et un optimiseur de dépôt conçu pour effectuer une étape de dépôt sur le substrat sur la base du temps de dépôt optimisé déterminé.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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