MULTIPLE REFLECTOMETRY FOR MEASURING ETCH PARAMETERS

A system includes a memory and at least one processing device operatively coupled to the memory to facilitate an etch recipe development process by performing a number of operations. The operations include receiving a request to initiate an iteration of an etch process using an etch recipe to etch a plurality of materials each located at a respective one of a plurality of reflectometry measurement points, obtaining material thickness data for each of the plurality of materials resulting from the iteration of the etch process, and determining one or more etch parameters based on the material thickness data. Un système comprend une mémoire et au moins un dispositif de traitement, couplé fonctionnellement à la mémoire pour faciliter un processus de développement de recettes de gravure par réalisation d'un certain nombre d'opérations. Les opérations consistent : à recevoir une demande de lancement d'une itération d'un processus de gravure utilisant une recette de gravure pour graver une pluralité de matériaux situés chacun au niveau d'un point respectif d'une pluralité de points de mesure de réflectométrie ; à obtenir des données d'épaisseur de matériau pour chaque matériau de la pluralité de matériaux résultant de l'itération du processus de gravure ; et à déterminer un ou plusieurs paramètres de gravure d'après les données d'épaisseur de matériau.