SYSTEMS AND METHODS FOR IMPROVED METROLOGY FOR SEMICONDUCTOR DEVICE WAFERS

A system and method for generating a quality parameter value of a semiconductor device wafer (SDW), during fabrication thereof, the method including designating a plurality of measurement site sets (MSSs) on the SDW, each of the MSSs including a first measurement-orientation site (FMS) and a second measurement-orientation site (SMS), the FMS and the SMS being different measurement sites on the SDW, generating a first measurement-orientation quality parameter dataset (FMQPD) by measuring features formed within each the FMS of at least one of the MSSs in a first measurement orientation, generating a second measurement-orientation quality parameter dataset (SMQPD) by measuring features formed within each the SMS of the at least one of the MSSs in a second measurement orientation and generating at least one tool-induced-shift (TIS)-ameliorated quality parameter value (TAQPV), at least partially based on the FMQPD and the SMQPD. L'invention concerne un système et un procédé pour générer une valeur de paramètre de qualité d'une galette de dispositif semi-conducteur (SDW), pendant la fabrication de celle-ci, le procédé comprenant la désignation d'une pluralité d'ensembles de sites de mesure (MSS) sur la SDW, chacun des MLSS comprenant un premier site d'orientation de mesure (FMS) et un deuxième site d'orientation de mesure (SMS), le FMS et le SMS étant des sites de mesure différents sur la SDW, la génération d'un premier ensemble de données de paramètres de qualité d'orientation de mesure (FMQPD) en mesurant des caractéristiques formées à l'intérieur de chacun des FMS d'au moins l'un des MSS dans une première orientation de mesure, la génération d'un deuxième ensemble de données de paramètres de qualité d'orientation de mesure (SMQPD) en mesurant des caractéristiques formées à l'intérieur de chacun des SMS dudit au moins l'un des MSMS dans une deuxième orientation de mesure et la génération d'au moins une valeur de paramètre de qualité améliorée de décalage induit par l'outil (TIS) (TAQPV), en se basant au moins partiellement sur le FMQPD et le SMQPD.