SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

A semiconductor device includes a nucleation layer, a buffer layer, a first nitride-based semiconductor layer, a second nitride-based semiconductor layer, S/D electrodes, and a gate electrode. The nucleation layer includes a composition that includes a first element. The buffer layer includes a III-V compound which includes the first element. The buffer layer is disposed on and forms an interface with the nucleation layer. The buffer layer has a concentration of the first element oscillating within the buffer layer, such that the concentration of the first element varies as an oscillating function of a distance within a thickness of the buffer layer. Spacings among adjacent peaks of the oscillating function change from wide to narrow with respect to a first reference point within the buffer layer. The first and second nitride-based semiconductor layer, S/D electrodes, and a gate electrode are disposed on the buffer layer. Un dispositif à semi-conducteur comprend une couche de nucléation, une couche tampon, une première couche semi-conductrice à base de nitrure, une seconde couche semi-conductrice à base de nitrure, des électrodes S/D et une électrode de grille. La couche de nucléation comprend une composition qui comprend un premier élément. La couche tampon comprend un composé III-V qui comprend le premier élément. La couche tampon est disposée sur la couche de nucléation et forme une interface avec celle-ci. La couche tampon présente une concentration du premier élément oscillant dans la couche tampon, de telle sorte que la concentration du premier élément varie selon une fonction oscillante d'une distance dans une épaisseur de la couche tampon. Des espacements entre des pics adjacents de la fonction oscillante passent de larges à étroits relativement à un premier point de référence dans la couche tampon. Les première et seconde couches semi-conductrices à base de nitrure, les électrodes S/D et une électrode de grille sont disposées sur la couche tampon.