TREATMENTS TO IMPROVE DEVICE PERFORMANCE

A method of forming a semiconductor structure includes annealing a surface of a substrate in an ambient of hydrogen to smooth the surface, pre-cleaning the surface of the substrate, depositing a high-κ dielectric layer on the pre-cleaned surface of the substrate, performing a re-oxidation process to thermally oxidize the surface of the substrate; performing a plasma nitridation process to insert nitrogen atoms in the deposited high-κ dielectric layer, and performing a post-nitridation anneal process to passivate chemical bonds in the plasma nitridated high-κ dielectric layer. L'invention concerne un procédé de formation d'une structure en semiconducteur, comprenant un recuit d'une surface d'un substrat dans une ambiance d'hydrogène pour lisser le surface, un pré-nettoyage de la surface du substrat, le dépôt d'une couche de diélectrique à κ élevé sur la surface pré-nettoyée du substrat, la réalisation d'un processus de ré-oxydation pour oxyder thermiquement la surface du substrat; la réalisation d'un processus de nitruration par plasma pour insérer des atomes d'azote dans la couche de diélectrique à κ élevé déposée, et la réalisation d'un processus de recuit post-nitruration pour passiver des liaisons chimiques dans la couche de diélectrique à κ élevé nitrurée par plasma.