CAPACITANCE FINE TUNING BY FIN CAPACITOR DESIGN
A device includes a main capacitor (410) composed of a first plate (412) of a first back-end-of-line (BEOL) metallization layer, a main insulator layer on the first plate, and a second plate on the main insulator layer. The second plate is composed of a second BEOL metallization layer. The device in...
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| Format: | Patent |
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| creator | VADHAVKAR, Sameer Sunil YUN, Changhan Hobie THADESAR, Paragkumar Ajaybhai PARK, Nosun KIM, Daniel Daeik |
| description | A device includes a main capacitor (410) composed of a first plate (412) of a first back-end-of-line (BEOL) metallization layer, a main insulator layer on the first plate, and a second plate on the main insulator layer. The second plate is composed of a second BEOL metallization layer. The device includes a first tuning capacitor (420-1) of a first portion of a first BEOL interconnect trace (418) coupled to the first plate of the main capacitor through first BEOL sideline traces (428). The first tuning capacitor is composed of a first insulator layer on a surface and sidewalls of the first portion of the first BEOL interconnect trace. The first tuning capacitor includes a second BEOL interconnect trace (432-1) on a surface and sidewalls of the first insulator layer. The device includes a first via capture pad (430-1) coupled to the second BEOL interconnect trace of the first tuning capacitor.
L'invention concerne un dispositif comprenant un condensateur principal (410) composé d'une première plaque (412) d'une première couche de métallisation de fin de ligne (BEOL), d'une couche isolante principale sur la première plaque, et d'une seconde plaque sur la couche isolante principale. La seconde plaque est composée d'une seconde couche de métallisation BEOL. Le dispositif comprend un premier condensateur d'accord (420-1) d'une première partie d'une première trace d'interconnexion BEOL (418) couplée à la première plaque du condensateur principal par l'intermédiaire de premières traces latérales BEOL (428). Le premier condensateur d'accord est composé d'une première couche isolante sur une surface et de parois latérales de la première partie de la première trace d'interconnexion BEOL. Le premier condensateur d'accord comprend une seconde trace d'interconnexion BEOL (432-1) sur une surface et des parois latérales de la première couche isolante. Le dispositif comprend un premier plot de capture d'interconnexion (430-1) couplé à la seconde trace d'interconnexion BEOL du premier condensateur d'accord. |
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L'invention concerne un dispositif comprenant un condensateur principal (410) composé d'une première plaque (412) d'une première couche de métallisation de fin de ligne (BEOL), d'une couche isolante principale sur la première plaque, et d'une seconde plaque sur la couche isolante principale. La seconde plaque est composée d'une seconde couche de métallisation BEOL. Le dispositif comprend un premier condensateur d'accord (420-1) d'une première partie d'une première trace d'interconnexion BEOL (418) couplée à la première plaque du condensateur principal par l'intermédiaire de premières traces latérales BEOL (428). Le premier condensateur d'accord est composé d'une première couche isolante sur une surface et de parois latérales de la première partie de la première trace d'interconnexion BEOL. Le premier condensateur d'accord comprend une seconde trace d'interconnexion BEOL (432-1) sur une surface et des parois latérales de la première couche isolante. Le dispositif comprend un premier plot de capture d'interconnexion (430-1) couplé à la seconde trace d'interconnexion BEOL du premier condensateur d'accord.</description><language>eng ; fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2022</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20220721&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2022154878A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,309,781,886,25569,76552</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20220721&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2022154878A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>VADHAVKAR, Sameer Sunil</creatorcontrib><creatorcontrib>YUN, Changhan Hobie</creatorcontrib><creatorcontrib>THADESAR, Paragkumar Ajaybhai</creatorcontrib><creatorcontrib>PARK, Nosun</creatorcontrib><creatorcontrib>KIM, Daniel Daeik</creatorcontrib><title>CAPACITANCE FINE TUNING BY FIN CAPACITOR DESIGN</title><description>A device includes a main capacitor (410) composed of a first plate (412) of a first back-end-of-line (BEOL) metallization layer, a main insulator layer on the first plate, and a second plate on the main insulator layer. The second plate is composed of a second BEOL metallization layer. The device includes a first tuning capacitor (420-1) of a first portion of a first BEOL interconnect trace (418) coupled to the first plate of the main capacitor through first BEOL sideline traces (428). The first tuning capacitor is composed of a first insulator layer on a surface and sidewalls of the first portion of the first BEOL interconnect trace. The first tuning capacitor includes a second BEOL interconnect trace (432-1) on a surface and sidewalls of the first insulator layer. The device includes a first via capture pad (430-1) coupled to the second BEOL interconnect trace of the first tuning capacitor.
L'invention concerne un dispositif comprenant un condensateur principal (410) composé d'une première plaque (412) d'une première couche de métallisation de fin de ligne (BEOL), d'une couche isolante principale sur la première plaque, et d'une seconde plaque sur la couche isolante principale. La seconde plaque est composée d'une seconde couche de métallisation BEOL. Le dispositif comprend un premier condensateur d'accord (420-1) d'une première partie d'une première trace d'interconnexion BEOL (418) couplée à la première plaque du condensateur principal par l'intermédiaire de premières traces latérales BEOL (428). Le premier condensateur d'accord est composé d'une première couche isolante sur une surface et de parois latérales de la première partie de la première trace d'interconnexion BEOL. Le premier condensateur d'accord comprend une seconde trace d'interconnexion BEOL (432-1) sur une surface et des parois latérales de la première couche isolante. Le dispositif comprend un premier plot de capture d'interconnexion (430-1) couplé à la seconde trace d'interconnexion BEOL du premier condensateur d'accord.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2022</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZNB3dgxwdPYMcfRzdlVw8_RzVQgJ9fP0c1dwigRxFaDS_kEKLq7Bnu5-PAysaYk5xam8UJqbQdnNNcTZQze1ID8-tbggMTk1L7UkPtzfyMDIyNDUxMLcwtHQmDhVAHYBJp8</recordid><startdate>20220721</startdate><enddate>20220721</enddate><creator>VADHAVKAR, Sameer Sunil</creator><creator>YUN, Changhan Hobie</creator><creator>THADESAR, Paragkumar Ajaybhai</creator><creator>PARK, Nosun</creator><creator>KIM, Daniel Daeik</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20220721</creationdate><title>CAPACITANCE FINE TUNING BY FIN CAPACITOR DESIGN</title><author>VADHAVKAR, Sameer Sunil ; YUN, Changhan Hobie ; THADESAR, Paragkumar Ajaybhai ; PARK, Nosun ; KIM, Daniel Daeik</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2022154878A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2022</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>VADHAVKAR, Sameer Sunil</creatorcontrib><creatorcontrib>YUN, Changhan Hobie</creatorcontrib><creatorcontrib>THADESAR, Paragkumar Ajaybhai</creatorcontrib><creatorcontrib>PARK, Nosun</creatorcontrib><creatorcontrib>KIM, Daniel Daeik</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>VADHAVKAR, Sameer Sunil</au><au>YUN, Changhan Hobie</au><au>THADESAR, Paragkumar Ajaybhai</au><au>PARK, Nosun</au><au>KIM, Daniel Daeik</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>CAPACITANCE FINE TUNING BY FIN CAPACITOR DESIGN</title><date>2022-07-21</date><risdate>2022</risdate><abstract>A device includes a main capacitor (410) composed of a first plate (412) of a first back-end-of-line (BEOL) metallization layer, a main insulator layer on the first plate, and a second plate on the main insulator layer. The second plate is composed of a second BEOL metallization layer. The device includes a first tuning capacitor (420-1) of a first portion of a first BEOL interconnect trace (418) coupled to the first plate of the main capacitor through first BEOL sideline traces (428). The first tuning capacitor is composed of a first insulator layer on a surface and sidewalls of the first portion of the first BEOL interconnect trace. The first tuning capacitor includes a second BEOL interconnect trace (432-1) on a surface and sidewalls of the first insulator layer. The device includes a first via capture pad (430-1) coupled to the second BEOL interconnect trace of the first tuning capacitor.
L'invention concerne un dispositif comprenant un condensateur principal (410) composé d'une première plaque (412) d'une première couche de métallisation de fin de ligne (BEOL), d'une couche isolante principale sur la première plaque, et d'une seconde plaque sur la couche isolante principale. La seconde plaque est composée d'une seconde couche de métallisation BEOL. Le dispositif comprend un premier condensateur d'accord (420-1) d'une première partie d'une première trace d'interconnexion BEOL (418) couplée à la première plaque du condensateur principal par l'intermédiaire de premières traces latérales BEOL (428). Le premier condensateur d'accord est composé d'une première couche isolante sur une surface et de parois latérales de la première partie de la première trace d'interconnexion BEOL. Le premier condensateur d'accord comprend une seconde trace d'interconnexion BEOL (432-1) sur une surface et des parois latérales de la première couche isolante. Le dispositif comprend un premier plot de capture d'interconnexion (430-1) couplé à la seconde trace d'interconnexion BEOL du premier condensateur d'accord.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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