SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR MODULE

Provided are a semiconductor device and a semiconductor module that make it possible to improve the heat-dissipating property of a semiconductor device having a heat-generating element. A semiconductor device (101) is provided with: a P-type semiconductor substrate (301) having a major surface (401) and a major surface (402) opposing the major surface (401); an N-type N-well (302) provided on the major surface (401) side of the semiconductor substrate (301); a unit field-effect transistor (303) provided in the N-well (302); a P-type heat-dissipating guard ring region (305) provided on the major surface (401) side of the semiconductor substrate (301) outside the N-well in a plan view of the semiconductor substrate (301); wiring (504) provided on the heat-dissipating guard ring region (305); a bump installing portion (5041, 5043); and a bump (5042, 5044). L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur et un module à semi-conducteur qui permettent d'améliorer la propriété de dissipation de chaleur d'un dispositif à semi-conducteur ayant un élément de génération de chaleur. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur (101) qui comprend : un substrat semi-conducteur de type P (301) ayant une surface principale (401) et une surface principale (402) opposée à la surface principale (401) ; un puits N de type N (302) prévu sur le côté surface principale (401) du substrat semi-conducteur (301) ; un transistor à effet de champ unitaire (303) prévu dans le puits N (302) ; une région de bague de protection de dissipation de chaleur de type P (305) prévue sur le côté surface principale (401) du substrat semi-conducteur (301) à l'extérieur du puits N dans une vue en plan du substrat semi-conducteur (301) ; un câblage (504) prévu sur la région de bague de protection de dissipation de chaleur (305) ; une portion d'installation de bosse (5041, 5043) ; et une bosse (5042, 5044). 発熱素子を有する半導体装置における放熱性を向上させることが可能な半導体装置及び半導体モジュールを提供する。半導体装置（１０１）は、主面（４０１）と、主面（４０１）に対向する主面（４０２）とを有するＰ型の半導体基板（３０１）と、半導体基板（３０１）の主面（４０１）側に設けられるＮ型のＮウェル（３０２）と、Ｎウェル（３０２）に設けられる単位電界効果トランジスタ（３０３）と、半導体基板（３０１）の平面視においてＮウェルの外側において、半導体基板（３０１）の主面（４０１）側に設けられるＰ型の放熱用ガードリング領域（３０５）と、放熱用ガードリング領域（３０５）上に設けられる配線（５０４）、バンプ設置部（５０４１，５０４３）及びバンプ（５０４２，５０４４）、を備える。