METHODS OF FORMING MICROELECTRONIC DEVICES, AND RELATED MICROELECTRONIC DEVICES, MEMORY DEVICES, AND ELECTRONIC SYSTEMS

A microelectronic device comprises a stack structure comprising a vertically alternating sequence of conductive material and insulative material arranged in tiers. The stack structure has blocks separated from one another by first dielectric slot structures. Each of the blocks comprises two crest regions, a stadium structure interposed between the two crest regions in a first horizontal direction and comprising opposing staircase structures each having steps comprising edges of the tiers of the stack structure, and two bridge regions neighboring opposing sides of the stadium structure in a second horizontal direction orthogonal to the first horizontal direction and having upper surfaces substantially coplanar with upper surfaces of the two crest regions. At least one second dielectric slot structure is within horizontal boundaries of the stadium structure in the first horizontal direction and partially vertically extends through and segmenting each of the two bridge regions. Memory devices, electronic systems, and methods of forming microelectronic devices are also described. L'invention concerne un dispositif microélectronique comprenant une structure d'empilement comprenant une séquence alternée verticalement de matériau isolant et de matériau conducteur agencés en niveaux. La structure d'empilement comporte des blocs séparés les uns des autres par des premières structures à fente diélectrique. Chacun des blocs comprend deux régions de crête, une structure d'enceinte interposée entre les deux régions de crête dans une première direction horizontale et comprenant des structures d'escalier opposées ayant chacune des marches comprenant des bords des niveaux de la structure d'empilement, et deux régions de pont adjacentes aux côtés opposés de la structure d'enceinte dans une seconde direction horizontale orthogonale à la première direction horizontale et ayant des surfaces supérieures sensiblement coplanaires avec les surfaces supérieures des deux régions de crête. Au moins une seconde structure de fente diélectrique se trouve à l'intérieur des délimitations horizontales de la structure d'enceinte dans la première direction horizontale et s'étend partiellement verticalement à travers et segmentant chacune des deux régions de pont. L'invention concerne en outre, des dispositifs de mémoire, des systèmes électroniques et des procédés de formation de dispositifs microélectroniques.