OPTOELECTRONIC DEVICE WITH AXIAL THREE-DIMENSIONAL LIGHT-EMITTING DIODES
The present description relates to an optoelectronic device (5) comprising an array of axial light-emitting diodes. Each light-emitting diode (LED) comprises an active layer (36) emitting electromagnetic radiation. The array forms a photonic crystal having, in a plane containing the active layers, a...
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| Hauptverfasser: | , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre |
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| creator | KRYLIOUK, Olga DAANOUNE, Mehdi |
| description | The present description relates to an optoelectronic device (5) comprising an array of axial light-emitting diodes. Each light-emitting diode (LED) comprises an active layer (36) emitting electromagnetic radiation. The array forms a photonic crystal having, in a plane containing the active layers, at least first and second resonance peaks, each first and second peak amplifying the intensity of the radiation respectively at a first and second wavelength. Each light-emitting diode comprises an elongate semiconductor element (26) extending along an axis (Δ), having a first portion (28) having a first average diameter (Dnw), a second portion (30) prolonging the first portion and having a cross section that decreases as it moves away from the first portion, and the active layer (36) prolonging the second portion and having a second average diameter (Dtop) strictly smaller than the first average diameter, the active layers being located at the locations of the first peaks and absent from the locations of the second peaks.
La présente description concerne un dispositif optoélectronique (5) comprenant une matrice de diodes électroluminescentes axiales. Chaque diode électroluminescente (LED) comprend une couche active (36) émettant un rayonnement électromagnétique. La matrice forme un cristal photonique ayant, dans un plan contenant les couches actives, au moins des premiers et deuxièmes pics de résonance, chaque premier et deuxième pic amplifiant l'intensité du rayonnement respectivement à une première et deuxième longueur d'onde. Chaque diode électroluminescente comprend un élément semiconducteur allongé (26) selon un axe (Δ), ayant une première portion (28) ayant un premier diamètre moyen (Dnw), une deuxième portion (30) prolongeant la première portion et ayant une section droite diminuant en s'éloignant de la première portion, et la couche active (36) prolongeant la deuxième portion et ayant un deuxième diamètre moyen (Dtop) inférieur strictement au premier diamètre moyen, les couches actives étant situées aux emplacements des premiers pics et absentes aux emplacements des deuxièmes pics. |
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La présente description concerne un dispositif optoélectronique (5) comprenant une matrice de diodes électroluminescentes axiales. Chaque diode électroluminescente (LED) comprend une couche active (36) émettant un rayonnement électromagnétique. La matrice forme un cristal photonique ayant, dans un plan contenant les couches actives, au moins des premiers et deuxièmes pics de résonance, chaque premier et deuxième pic amplifiant l'intensité du rayonnement respectivement à une première et deuxième longueur d'onde. Chaque diode électroluminescente comprend un élément semiconducteur allongé (26) selon un axe (Δ), ayant une première portion (28) ayant un premier diamètre moyen (Dnw), une deuxième portion (30) prolongeant la première portion et ayant une section droite diminuant en s'éloignant de la première portion, et la couche active (36) prolongeant la deuxième portion et ayant un deuxième diamètre moyen (Dtop) inférieur strictement au premier diamètre moyen, les couches actives étant situées aux emplacements des premiers pics et absentes aux emplacements des deuxièmes pics.</description><language>eng ; fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2022</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20220623&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2022129252A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76290</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20220623&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2022129252A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>KRYLIOUK, Olga</creatorcontrib><creatorcontrib>DAANOUNE, Mehdi</creatorcontrib><title>OPTOELECTRONIC DEVICE WITH AXIAL THREE-DIMENSIONAL LIGHT-EMITTING DIODES</title><description>The present description relates to an optoelectronic device (5) comprising an array of axial light-emitting diodes. Each light-emitting diode (LED) comprises an active layer (36) emitting electromagnetic radiation. The array forms a photonic crystal having, in a plane containing the active layers, at least first and second resonance peaks, each first and second peak amplifying the intensity of the radiation respectively at a first and second wavelength. Each light-emitting diode comprises an elongate semiconductor element (26) extending along an axis (Δ), having a first portion (28) having a first average diameter (Dnw), a second portion (30) prolonging the first portion and having a cross section that decreases as it moves away from the first portion, and the active layer (36) prolonging the second portion and having a second average diameter (Dtop) strictly smaller than the first average diameter, the active layers being located at the locations of the first peaks and absent from the locations of the second peaks.
La présente description concerne un dispositif optoélectronique (5) comprenant une matrice de diodes électroluminescentes axiales. Chaque diode électroluminescente (LED) comprend une couche active (36) émettant un rayonnement électromagnétique. La matrice forme un cristal photonique ayant, dans un plan contenant les couches actives, au moins des premiers et deuxièmes pics de résonance, chaque premier et deuxième pic amplifiant l'intensité du rayonnement respectivement à une première et deuxième longueur d'onde. Chaque diode électroluminescente comprend un élément semiconducteur allongé (26) selon un axe (Δ), ayant une première portion (28) ayant un premier diamètre moyen (Dnw), une deuxième portion (30) prolongeant la première portion et ayant une section droite diminuant en s'éloignant de la première portion, et la couche active (36) prolongeant la deuxième portion et ayant un deuxième diamètre moyen (Dtop) inférieur strictement au premier diamètre moyen, les couches actives étant situées aux emplacements des premiers pics et absentes aux emplacements des deuxièmes pics.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2022</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNyrEKwjAQgOEsDqK-Q8A5YE8cHENyNgdpTtrDupUi5yRaqO-PDj6A0w8f_9IkPgtjxiAtFwo24oUC2p4kWX8ln62kFtFFarB0xOUrmeokDhsSoVLbSByxW5vFfXzMuvl1ZbYnlJCcTq9B52m86VPfQ8-wA6jgCAfw1f6_6wPXIS3w</recordid><startdate>20220623</startdate><enddate>20220623</enddate><creator>KRYLIOUK, Olga</creator><creator>DAANOUNE, Mehdi</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20220623</creationdate><title>OPTOELECTRONIC DEVICE WITH AXIAL THREE-DIMENSIONAL LIGHT-EMITTING DIODES</title><author>KRYLIOUK, Olga ; DAANOUNE, Mehdi</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2022129252A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2022</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>KRYLIOUK, Olga</creatorcontrib><creatorcontrib>DAANOUNE, Mehdi</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>KRYLIOUK, Olga</au><au>DAANOUNE, Mehdi</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>OPTOELECTRONIC DEVICE WITH AXIAL THREE-DIMENSIONAL LIGHT-EMITTING DIODES</title><date>2022-06-23</date><risdate>2022</risdate><abstract>The present description relates to an optoelectronic device (5) comprising an array of axial light-emitting diodes. Each light-emitting diode (LED) comprises an active layer (36) emitting electromagnetic radiation. The array forms a photonic crystal having, in a plane containing the active layers, at least first and second resonance peaks, each first and second peak amplifying the intensity of the radiation respectively at a first and second wavelength. Each light-emitting diode comprises an elongate semiconductor element (26) extending along an axis (Δ), having a first portion (28) having a first average diameter (Dnw), a second portion (30) prolonging the first portion and having a cross section that decreases as it moves away from the first portion, and the active layer (36) prolonging the second portion and having a second average diameter (Dtop) strictly smaller than the first average diameter, the active layers being located at the locations of the first peaks and absent from the locations of the second peaks.
La présente description concerne un dispositif optoélectronique (5) comprenant une matrice de diodes électroluminescentes axiales. Chaque diode électroluminescente (LED) comprend une couche active (36) émettant un rayonnement électromagnétique. La matrice forme un cristal photonique ayant, dans un plan contenant les couches actives, au moins des premiers et deuxièmes pics de résonance, chaque premier et deuxième pic amplifiant l'intensité du rayonnement respectivement à une première et deuxième longueur d'onde. Chaque diode électroluminescente comprend un élément semiconducteur allongé (26) selon un axe (Δ), ayant une première portion (28) ayant un premier diamètre moyen (Dnw), une deuxième portion (30) prolongeant la première portion et ayant une section droite diminuant en s'éloignant de la première portion, et la couche active (36) prolongeant la deuxième portion et ayant un deuxième diamètre moyen (Dtop) inférieur strictement au premier diamètre moyen, les couches actives étant situées aux emplacements des premiers pics et absentes aux emplacements des deuxièmes pics.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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