CAPACITOR STRUCTURE WITH VIA EMBEDDED IN POROUS MEDIUM

CAPACITOR STRUCTURE WITH VIA EMBEDDED IN POROUS MEDIUM

A capacitor structure is disclosed. The capacitor structure includes a substrate (102); a conductive layer (104) above the substrate (102); and a porous layer, above the conductive layer (104), having pores that extend perpendicularly from a top surface of the porous layer toward the conductive laye...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: EL SABAHY, Julien, VOIRON, Frédéric, SOULIER, Brigitte
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
CAPACITORS
CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES ORLIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
ELECTRICITY
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creator EL SABAHY, Julien
VOIRON, Frédéric
SOULIER, Brigitte
description A capacitor structure is disclosed. The capacitor structure includes a substrate (102); a conductive layer (104) above the substrate (102); and a porous layer, above the conductive layer (104), having pores that extend perpendicularly from a top surface of the porous layer toward the conductive layer (104). The porous layer comprises a first region (110) in which pores conductive wires are disposed, and a second region (120) in which pores a metal-insulator-metal (MIM) structure is disposed. The first region (110) may be used as a via to contact a bottom electrode of the capacitor structure. La divulgation concerne une structure de condensateur. La structure de condensateur comprend un substrat (102) ; une couche conductrice (104) située au-dessus du substrat (102) ; et une couche poreuse, située au-dessus de la couche conductrice (104), ayant des pores qui s'étendent perpendiculairement depuis une surface supérieure de la couche poreuse vers la couche conductrice (104). La couche poreuse comprend une première région (110) dans les pores de laquelle des fils conducteurs sont disposés et une seconde région (120) dans les pores de laquelle une structure métal-isolant-métal (MIM) est disposée. La première région (110) peut être utilisée en tant que trou d'interconnexion pour entrer en contact avec une électrode inférieure de la structure de condensateur.
format Patent
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The capacitor structure includes a substrate (102); a conductive layer (104) above the substrate (102); and a porous layer, above the conductive layer (104), having pores that extend perpendicularly from a top surface of the porous layer toward the conductive layer (104). The porous layer comprises a first region (110) in which pores conductive wires are disposed, and a second region (120) in which pores a metal-insulator-metal (MIM) structure is disposed. The first region (110) may be used as a via to contact a bottom electrode of the capacitor structure. La divulgation concerne une structure de condensateur. La structure de condensateur comprend un substrat (102) ; une couche conductrice (104) située au-dessus du substrat (102) ; et une couche poreuse, située au-dessus de la couche conductrice (104), ayant des pores qui s'étendent perpendiculairement depuis une surface supérieure de la couche poreuse vers la couche conductrice (104). La couche poreuse comprend une première région (110) dans les pores de laquelle des fils conducteurs sont disposés et une seconde région (120) dans les pores de laquelle une structure métal-isolant-métal (MIM) est disposée. 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La couche poreuse comprend une première région (110) dans les pores de laquelle des fils conducteurs sont disposés et une seconde région (120) dans les pores de laquelle une structure métal-isolant-métal (MIM) est disposée. 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The capacitor structure includes a substrate (102); a conductive layer (104) above the substrate (102); and a porous layer, above the conductive layer (104), having pores that extend perpendicularly from a top surface of the porous layer toward the conductive layer (104). The porous layer comprises a first region (110) in which pores conductive wires are disposed, and a second region (120) in which pores a metal-insulator-metal (MIM) structure is disposed. The first region (110) may be used as a via to contact a bottom electrode of the capacitor structure. La divulgation concerne une structure de condensateur. La structure de condensateur comprend un substrat (102) ; une couche conductrice (104) située au-dessus du substrat (102) ; et une couche poreuse, située au-dessus de la couche conductrice (104), ayant des pores qui s'étendent perpendiculairement depuis une surface supérieure de la couche poreuse vers la couche conductrice (104). 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