CARRIER ARRANGEMENT, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT

Die Erfindung betrifft eine Trägeranordnung für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil, umfassend ein Substrat (2); eine auf dem Substrat aufgebrachte, strukturierte Metallisierung (3); eine mit der strukturierten Metallisierung stoffschlüssig verbundene Vergussmasse (6), wobei die Erfindung dadurch gekennzeichnet ist, dass die Vergussmasse Glas (7) mit einer Erweichungstemperatur von unter 300°C umfasst, wobei das Glas eine zusammenhängende Schicht (8) bildet und in das Glas ein Hochtemperaturfüllstoff eingebettet ist; und wobei das Glas und der Hochtemperaturfüllstoff (9) so abgestimmt sind, dass die Differenz zwischen dem thermischen Ausdehnungskoeffizienten der Vergussmasse (6) und dem thermischen Ausdehnungskoeffizienten der Metallisierung (3) für einen Temperaturbereich von 25°C - 350°C weniger als 5 ppm/°K, bevorzugt weniger als 3 ppm/°K und besonders bevorzugt weniger als 1 ppm/°K und insbesondere weniger als 0,5 ppm/°K beträgt. The invention relates to a carrier arrangement for an optoelectronic semiconductor component, comprising a substrate (2), a structured metal coat (3) applied to the substrate and a casting compound (6) integrally bonded to the structured metal coat. The invention is characterised in that the casting compound comprises glass (7) with a softening temperature of less than 300°C, the glass forming a cohesive layer (8) and a high-temperature filler being embedded in the glass. The glass and the high-temperature filler (9) are coordinated in such a way that the difference between the thermal expansion coefficient of the casting compound (6) and the thermal expansion coefficient of the metal coat (3) is less than 5 ppm/°K, preferably less than 3 ppm/°K, particularly preferably less than 1 ppm/°K and in particular less than 0.5 ppm/°K, for a temperature range of 25°C-350°C. L'invention concerne un ensemble support conçu pour un composant semi-conducteur optoélectronique qui comprend un substrat (2), une métallisation structurée (3) appliquée sur le substrat ; une matière d'enrobage (6) reliée par liaison de matière à la métallisation structurée. L'invention est caractérisée en ce que la matière d'enrobage comprend du verre (7) présentant une température de ramollissement inférieure à 300 °C, le verre formant une couche cohérente (8) et une charge à haute température intégrée dans le verre ; le verre et la charge à haute température (9) étant coordonnés de façon que la différence entre le coefficient de dilatation thermique de la