VERTICAL DIGIT LINES FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

Systems, methods and apparatus are provided for an array of vertically stacked memory cells having horizontally oriented access devices and access lines and vertically oriented digit lines having a first source/drain region and a second source drain region separated by a channel region, and gates opposing the channel region formed fully around every surface of the channel region as gate all around (GAA) structures, horizontal oriented access lines coupled to the gates and separated from a channel region by a gate dielectric. The memory cells have horizontally oriented storage nodes coupled to the second source/drain region and vertically oriented digit lines coupled to the first source/drain regions. A vertical body contact is formed in direct electrical contact with a body region of one or more of the horizontally oriented access devices and separate from the first source/drain region and the vertically oriented digit lines by a dielectric. L'invention concerne des systèmes, des procédés et un appareil pour un réseau de cellules de mémoire empilées verticalement ayant des dispositifs d'accès orientés horizontalement et des lignes d'accès et des lignes numériques orientées verticalement ayant une première région de source/drain et une seconde région de source/drain séparées par une région de canal, et des grilles opposées à la région de canal formées complètement autour de chaque surface de la région de canal en tant que structures à grille enveloppante (GAA), des lignes d'accès orientées horizontalement couplées aux grilles et séparées d'une région de canal par un diélectrique de grille. Les cellules de mémoire ont des nœuds de stockage orientés horizontalement couplés à la seconde région de source/drain et des lignes numériques orientées verticalement couplées aux premières régions de source/drain. Un contact de corps vertical est formé en contact électrique direct avec une région de corps d'un ou plusieurs des dispositifs d'accès orientés horizontalement et séparé de la première région de source/drain et des lignes numériques orientées verticalement par un diélectrique.