INTEGRATION OF VAPOR DEPOSITION PROCESS INTO PLASMA ETCH REACTOR

Various embodiments herein relate to methods and systems for integrating a vapor deposition process and an etch process in a single reactor. The vapor deposition process involves delivery of at least one deposition vapor in the absence of plasma. The etch process is a plasma etch process. Various features may be combined as desired to promote high quality deposition and etching results. Divers modes de réalisation décrits ici se rapportent à des procédés et à des systèmes permettant d'intégrer un procédé de dépôt en phase vapeur et un procédé de gravure dans un réacteur unique. Le procédé de dépôt en phase vapeur implique la distribution d'au moins une vapeur de dépôt en l'absence de plasma. Le procédé de gravure est un procédé de gravure par plasma. Diverses caractéristiques peuvent être combinées selon les besoins pour favoriser des résultats de dépôt et de gravure de haute qualité.