HIGH VOLTAGE FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH VERTICAL CURRENT PATHS AND METHOD OF MAKING THE SAME

A field effect transistor for a high voltage operation can include vertical current paths, which may include vertical surface regions of a pedestal semiconductor portion that protrudes above a base semiconductor portion. The pedestal semiconductor portion can be formed by etching a semiconductor material layer employing a gate structure as an etch mask. A dielectric gate spacer can be formed on sidewalls of the pedestal semiconductor portion. A source region and a drain region may be formed underneath top surfaces of the base semiconductor portion. Alternatively, epitaxial semiconductor material portions can be grown on the top surfaces of the base semiconductor portions, and a source region and a drain region can be formed therein. Alternatively, a source region and a drain region can be formed within via cavities in a planarization dielectric layer. L'invention concerne un transistor à effet de champ pour une opération à haute tension qui peut comprendre des trajets de courant verticaux, qui peuvent comprendre des régions de surface verticale d'une partie semi-conductrice de socle qui fait saillie au-dessus d'une partie semi-conductrice de base. La partie semi-conductrice de socle peut être formée par gravure d'une couche de matériau semi-conducteur utilisant une structure de grille en tant que masque de gravure. Un espaceur de grille diélectrique peut être formé sur des parois latérales de la partie semi-conductrice de socle. Une région de source et une région de drain peuvent être formées sous des surfaces supérieures de la partie semi-conductrice de base. En variante, des parties de matériau semi-conducteur épitaxial peuvent croître sur les surfaces supérieures des parties semi-conductrices de base, et une région de source et une région de drain peuvent être formées à l'intérieur de celles-ci. En variante, une région de source et une région de drain peuvent être formées à l'intérieur de cavités de trou d'interconnexion dans une couche diélectrique de planarisation.