LARGE-PARTICLE MONITORING WITH LASER POWER CONTROL FOR DEFECT INSPECTION

A semiconductor wafer is inspected using a main laser beam and a secondary laser beam. The secondary laser beam leads the main laser beam and has lower power than the main laser beam. Using the secondary laser beam, a particle is detected on the semiconductor wafer having a size that satisfies a threshold. In response to detecting the particle, the power of the main laser beam and the power of the secondary laser beam are reduced. The particle passes through the main laser beam with the main laser beam at reduced power. After the particle has passed through the main laser beam with the main laser beam at the reduced power, the power of the main laser beam and the power of the secondary laser beam are restored in a controlled manner that is slower than a single step. Selon l'invention, une tranche de semi-conducteur est inspectée à l'aide d'un faisceau laser principal et d'un faisceau laser secondaire. Le faisceau laser secondaire conduit le faisceau laser principal et possède une puissance inférieure au faisceau laser principal. À l'aide du faisceau laser secondaire, une particule est détectée sur la tranche de semi-conducteur ayant une taille qui satisfait un seuil. En réponse à la détection de la particule, la puissance du faisceau laser principal et la puissance du faisceau laser secondaire sont réduites. La particule traverse le faisceau laser principal avec le faisceau laser principal à puissance réduite. Après que la particule a traversé le faisceau laser principal avec le faisceau laser principal à la puissance réduite, la puissance du faisceau laser principal et la puissance du faisceau laser secondaire sont restaurées d'une manière régulée qui est plus lente qu'une étape unique.