MULTIPLE DECKS OF MEMORY CELLS AND PILLARS

Some embodiments include apparatuses and methods of forming the apparatuses. One of the apparatuses includes a first deck located over a substrate, and a second deck located over the first deck, and pillars extending through the first and second decks. The first deck includes first memory cells, first control gates associated with the first memory cells, and first conductive paths coupled to the first control gates. The second conductive paths include second conductive pads located on a first level of the apparatus over the substrate. The second deck includes second memory cells, second control gates associated with the second memory cells, and second conductive paths coupled to the second control gates. The second conductive paths include second conductive pads located on a second level of the apparatus. The first and second conductive pads having lengths in a direction perpendicular to a direction from the first deck to the second deck. Certains modes de réalisation de la présente invention incluent des appareils et des procédés pour former les appareils. L'un des appareils inclut un premier pont situé au-dessus d'un substrat, et un deuxième pont situé au-dessus du premier pont, et des piliers s'étendant à travers les premier et deuxième ponts. Le premier pont inclut des premières cellules de mémoire, des premières portes de commande associées aux premières cellules de mémoire, et des premiers trajets conducteurs couplés aux premières portes de commande. Les deuxièmes trajets conducteurs incluent des deuxièmes plots conducteurs situés sur un premier niveau de l'appareil au-dessus du substrat. Le deuxième pont inclut des deuxièmes cellules de mémoire, des deuxièmes portes de commande associées aux deuxièmes cellules de mémoire, et des deuxièmes trajets conducteurs couplés aux deuxièmes portes de commande. Les deuxièmes trajets conducteurs incluent des deuxièmes plots conducteurs situés sur un deuxième niveau de l'appareil. Les premiers et deuxièmes plots conducteurs ont des longueurs dans une direction perpendiculaire à une direction allant du premier pont au deuxième pont.