THREE-DIMENSIONAL METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR

A three-dimensional metal-insulator-metal (MIM) capacitor is formed in an integrated circuit structure. The 3D MIM capacitor may include a bottom conductor including a bottom plate portion (e.g., formed in a metal interconnect layer) and vertically-extending sidewall portions extending from the bottom plate portion. An insulator layer is formed on the bottom plate portion and the vertically extending sidewall portions of the bottom conductor. A top conductor is formed over the insulating layer, such that the top conductor is capacitively coupled to both the bottom plate portion and the vertically extending sidewall portions of the bottom conductor, to thereby define an increased area of capacitive coupling between the top and bottom conductors. The vertically extending sidewall portions of the bottom conductor may be formed in a single metal layer or by components of multiple metal layers. Un condensateur métal-isolant-métal (MIM) en trois dimensions est formé dans une structure de circuit intégré. Le condensateur MIM 3D peut comporter un conducteur inférieur comportant une partie de plaque inférieure (par exemple formée dans une couche d'interconnexion métallique) et des parties de paroi latérale s'étendant verticalement s'étendant à partir de la partie de plaque inférieure. Une couche isolante est formée sur la partie de plaque inférieure et les parties de paroi latérale s'étendant verticalement du conducteur inférieur. Un conducteur supérieur est formé sur la couche isolante, de sorte que le conducteur supérieur est couplé de manière capacitive à la fois à la partie de plaque inférieure et aux parties de paroi latérale s'étendant verticalement du conducteur inférieur, pour ainsi définir une zone accrue de couplage capacitif entre les conducteurs supérieur et inférieur. Les parties de paroi latérale s'étendant verticalement du conducteur inférieur peuvent être formées dans une seule couche métallique ou par des composants de multiples couches métalliques.