PLASMA SOURCE FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING

The present technology encompasses plasma sources including a first plate defining a first plurality of apertures arranged in a first set of rows. The first plate may include a first set of electrodes extending along a separate row of the first set of rows. The plasma sources may include a second plate defining a second plurality of apertures arranged in a second set of rows. The second plate may include a second set of electrodes extending along a separate row of the second set of rows. Each aperture of the second plurality of apertures may be axially aligned with an aperture of the first plurality of apertures. The plasma sources may include a third plate positioned between the first plate and the second plate. The third plate may define a third plurality of apertures. La présente technologie englobe des sources de plasma comprenant une première plaque délimitant une première pluralité d'ouvertures agencées dans un premier ensemble de rangées. La première plaque peut comprendre un premier ensemble d'électrodes s'étendant le long d'une rangée séparée du premier ensemble de rangées. Les sources de plasma peuvent comprendre une deuxième plaque délimitant une deuxième pluralité d'ouvertures agencées dans un second ensemble de rangées. La deuxième plaque peut comprendre un second ensemble d'électrodes s'étendant le long d'une rangée séparée du second ensemble de rangées. Chaque ouverture de la deuxième pluralité d'ouvertures peut être alignée axialement sur une ouverture de la première pluralité d'ouvertures. Les sources de plasma peuvent comprendre une troisième plaque positionnée entre la première plaque et la deuxième plaque. La troisième plaque peut délimiter une troisième pluralité d'ouvertures.