IN-FEATURE WET ETCH RATE RATIO REDUCTION

Various embodiments herein relate to methods and apparatus for depositing silicon oxide using thermal ALD or thermal CVD. In one aspect of the disclosed embodiments, a method for depositing silicon oxide is provided, the method including: (a) receiving the substrate in a reaction chamber; (b) introducing a first flow of a first reactant into the reaction chamber and exposing the substrate to the first reactant, where the first reactant includes a silicon-containing reactant; (c) introducing a second flow of a second reactant into the reaction chamber to cause a reaction between the first reactant and the second reactant, (i) where the second reactant includes hydrogen (H2) and an oxygen-containing reactant, (ii) where the reaction deposits silicon oxide on the substrate, and (iii) where the reaction is initiated when a pressure in the reaction chamber is greater than 10 Torr and equal to or less than about 40 Torr. Divers modes de réalisation divulgués ici se rapportent à des procédés et à un appareil de dépôt d'oxyde de silicium à l'aide de l'ALD thermique ou du CVD thermique. Dans un aspect des modes de réalisation divulgués, un procédé de dépôt d'oxyde de silicium consiste : (a) à recevoir le substrat dans une chambre de réaction ; (b) à introduire un premier flux d'un premier réactif dans la chambre de réaction et à exposer le substrat au premier réactif, le premier réactif comprenant un réactif contenant du silicium ; (c) à introduire un second flux d'un second réactif dans la chambre de réaction de manière à provoquer une réaction entre le premier réactif et le second réactif, (i) le second réactif contenant de l'hydrogène (H2) et un réactif contenant de l'oxygène, (ii) la réaction déposant de l'oxyde de silicium sur le substrat, et (iii) la réaction étant initiée lorsqu'une pression dans la chambre de réaction est supérieure à 10 Torr et inférieure ou égale à environ 40 Torr.