METHODS AND APPARATUS FOR PROCESSING A SUBSTRATE
Methods and apparatus for cleaning a process kit configured for processing a substrate are provided. For example, a process chamber for processing a substrate can include a chamber wall; a sputtering target disposed in an upper section of the inner volume; a pedestal including a substrate support ha...
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| Format: | Patent |
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| creator | TAO, Rong CHONG, Halbert WYSOK, Irena H CHEN, Xing GUNG, Tza-Jing LEI, Jianxin WANG, Rongjun MILLER, Keith A |
| description | Methods and apparatus for cleaning a process kit configured for processing a substrate are provided. For example, a process chamber for processing a substrate can include a chamber wall; a sputtering target disposed in an upper section of the inner volume; a pedestal including a substrate support having a support surface to support a substrate below the sputtering target; a power source configured to energize sputtering gas for forming a plasma in the inner volume; a process kit surrounding the sputtering target and the substrate support; and an ACT connected to the pedestal and a controller configured to tune the pedestal using the ACT to maintain a predetermined potential difference between the plasma in the inner volume and the process kit, wherein the predetermined potential difference is based on a percentage of total capacitance of the ACT and a stray capacitance associated with a grounding path of the process chamber.
La présente invention concerne des procédés et un appareil de nettoyage d'un kit de traitement conçu pour traiter un substrat. Par exemple, une chambre de traitement pour traiter un substrat peut comprendre une paroi de chambre ; une cible de pulvérisation disposée dans une section supérieure du volume interne ; un socle comprenant un support de substrat ayant une surface de support pour supporter un substrat au-dessous de la cible de pulvérisation ; une source d'alimentation conçue pour exciter un gaz de pulvérisation pour former un plasma dans le volume interne ; un kit de traitement entourant la cible de pulvérisation et le support de substrat ; et une ACT connectée au socle et un dispositif de commande conçu pour régler le socle à l'aide de l'ACT afin de maintenir une différence de potentiel prédéterminée entre le plasma dans le volume interne et le kit de traitement, la différence de potentiel prédéterminée étant basée sur un pourcentage de capacité totale de l'ACT et une capacité parasite associée à un trajet de mise à la terre de la chambre de traitement. |
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La présente invention concerne des procédés et un appareil de nettoyage d'un kit de traitement conçu pour traiter un substrat. Par exemple, une chambre de traitement pour traiter un substrat peut comprendre une paroi de chambre ; une cible de pulvérisation disposée dans une section supérieure du volume interne ; un socle comprenant un support de substrat ayant une surface de support pour supporter un substrat au-dessous de la cible de pulvérisation ; une source d'alimentation conçue pour exciter un gaz de pulvérisation pour former un plasma dans le volume interne ; un kit de traitement entourant la cible de pulvérisation et le support de substrat ; et une ACT connectée au socle et un dispositif de commande conçu pour régler le socle à l'aide de l'ACT afin de maintenir une différence de potentiel prédéterminée entre le plasma dans le volume interne et le kit de traitement, la différence de potentiel prédéterminée étant basée sur un pourcentage de capacité totale de l'ACT et une capacité parasite associée à un trajet de mise à la terre de la chambre de traitement.</description><language>eng ; fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CHEMICAL SURFACE TREATMENT ; CHEMISTRY ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL ; COATING METALLIC MATERIAL ; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ; ELECTRICITY ; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL ; METALLURGY ; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><creationdate>2021</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20211021&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2021211278A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76290</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20211021&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2021211278A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>TAO, Rong</creatorcontrib><creatorcontrib>CHONG, Halbert</creatorcontrib><creatorcontrib>WYSOK, Irena H</creatorcontrib><creatorcontrib>CHEN, Xing</creatorcontrib><creatorcontrib>GUNG, Tza-Jing</creatorcontrib><creatorcontrib>LEI, Jianxin</creatorcontrib><creatorcontrib>WANG, Rongjun</creatorcontrib><creatorcontrib>MILLER, Keith A</creatorcontrib><title>METHODS AND APPARATUS FOR PROCESSING A SUBSTRATE</title><description>Methods and apparatus for cleaning a process kit configured for processing a substrate are provided. For example, a process chamber for processing a substrate can include a chamber wall; a sputtering target disposed in an upper section of the inner volume; a pedestal including a substrate support having a support surface to support a substrate below the sputtering target; a power source configured to energize sputtering gas for forming a plasma in the inner volume; a process kit surrounding the sputtering target and the substrate support; and an ACT connected to the pedestal and a controller configured to tune the pedestal using the ACT to maintain a predetermined potential difference between the plasma in the inner volume and the process kit, wherein the predetermined potential difference is based on a percentage of total capacitance of the ACT and a stray capacitance associated with a grounding path of the process chamber.
La présente invention concerne des procédés et un appareil de nettoyage d'un kit de traitement conçu pour traiter un substrat. Par exemple, une chambre de traitement pour traiter un substrat peut comprendre une paroi de chambre ; une cible de pulvérisation disposée dans une section supérieure du volume interne ; un socle comprenant un support de substrat ayant une surface de support pour supporter un substrat au-dessous de la cible de pulvérisation ; une source d'alimentation conçue pour exciter un gaz de pulvérisation pour former un plasma dans le volume interne ; un kit de traitement entourant la cible de pulvérisation et le support de substrat ; et une ACT connectée au socle et un dispositif de commande conçu pour régler le socle à l'aide de l'ACT afin de maintenir une différence de potentiel prédéterminée entre le plasma dans le volume interne et le kit de traitement, la différence de potentiel prédéterminée étant basée sur un pourcentage de capacité totale de l'ACT et une capacité parasite associée à un trajet de mise à la terre de la chambre de traitement.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</subject><subject>COATING METALLIC MATERIAL</subject><subject>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</subject><subject>ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2021</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZDDwdQ3x8HcJVnD0c1FwDAhwDHIMCQ1WcPMPUggI8nd2DQ729HNXcFQIDnUKDgHKufIwsKYl5hSn8kJpbgZlN9cQZw_d1IL8-NTigsTk1LzUkvhwfyMDI0MjQ0MjcwtHQ2PiVAEAyP8nNQ</recordid><startdate>20211021</startdate><enddate>20211021</enddate><creator>TAO, Rong</creator><creator>CHONG, Halbert</creator><creator>WYSOK, Irena H</creator><creator>CHEN, Xing</creator><creator>GUNG, Tza-Jing</creator><creator>LEI, Jianxin</creator><creator>WANG, Rongjun</creator><creator>MILLER, Keith A</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20211021</creationdate><title>METHODS AND APPARATUS FOR PROCESSING A SUBSTRATE</title><author>TAO, Rong ; CHONG, Halbert ; WYSOK, Irena H ; CHEN, Xing ; GUNG, Tza-Jing ; LEI, Jianxin ; WANG, Rongjun ; MILLER, Keith A</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2021211278A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2021</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</topic><topic>COATING METALLIC MATERIAL</topic><topic>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</topic><topic>ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>TAO, Rong</creatorcontrib><creatorcontrib>CHONG, Halbert</creatorcontrib><creatorcontrib>WYSOK, Irena H</creatorcontrib><creatorcontrib>CHEN, Xing</creatorcontrib><creatorcontrib>GUNG, Tza-Jing</creatorcontrib><creatorcontrib>LEI, Jianxin</creatorcontrib><creatorcontrib>WANG, Rongjun</creatorcontrib><creatorcontrib>MILLER, Keith A</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>TAO, Rong</au><au>CHONG, Halbert</au><au>WYSOK, Irena H</au><au>CHEN, Xing</au><au>GUNG, Tza-Jing</au><au>LEI, Jianxin</au><au>WANG, Rongjun</au><au>MILLER, Keith A</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHODS AND APPARATUS FOR PROCESSING A SUBSTRATE</title><date>2021-10-21</date><risdate>2021</risdate><abstract>Methods and apparatus for cleaning a process kit configured for processing a substrate are provided. 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La présente invention concerne des procédés et un appareil de nettoyage d'un kit de traitement conçu pour traiter un substrat. Par exemple, une chambre de traitement pour traiter un substrat peut comprendre une paroi de chambre ; une cible de pulvérisation disposée dans une section supérieure du volume interne ; un socle comprenant un support de substrat ayant une surface de support pour supporter un substrat au-dessous de la cible de pulvérisation ; une source d'alimentation conçue pour exciter un gaz de pulvérisation pour former un plasma dans le volume interne ; un kit de traitement entourant la cible de pulvérisation et le support de substrat ; et une ACT connectée au socle et un dispositif de commande conçu pour régler le socle à l'aide de l'ACT afin de maintenir une différence de potentiel prédéterminée entre le plasma dans le volume interne et le kit de traitement, la différence de potentiel prédéterminée étant basée sur un pourcentage de capacité totale de l'ACT et une capacité parasite associée à un trajet de mise à la terre de la chambre de traitement.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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