THERMAL TREATMENT DEVICE AND THERMAL TREATMENT METHOD

Provided is a technology capable of promoting a change in solubility when thermally treating a substrate having a surface having an exposed resist formed thereon which exhibits a change in the solubility of an exposed or unexposed section thereof in a liquid developer as a result of heating by reacting with water. This thermal treatment device is equipped with: a stage (23) on which the substrate (W) is placed and heating occurs; a raising/lowering mechanism (26) for relatively raising and lowering between a first position at which the substrate (W) is placed on the stage (23), and a second position which is separated from the stage; and a gas supply unit (33) for supplying a first gas, the humidity of which is higher than the atmosphere in which the stage (23) is provided, to the substrate (W) positioned in the second position before moving to the first position. L'invention concerne une technologie capable de favoriser un changement de solubilité lors du traitement thermique d'un substrat ayant une surface sur laquelle est formée une réserve exposée dont une section exposée ou non exposée présente un changement de solubilité dans un révélateur liquide suite à un réchauffement provoqué par une réaction avec de l'eau. Ce dispositif de traitement thermique est équipé des éléments suivants : une platine (23) sur laquelle le substrat (W) est placé et sur laquelle le chauffage se produit ; un mécanisme d'élévation/abaissement (26) servant à effectuer une élévation et un abaissement relatifs entre une première position dans laquelle le substrat (W) est placé sur la platine (23) et une seconde position qui est séparée de la platine ; et une unité d'alimentation en gaz (33) servant à fournir sur le substrat (W) placé dans la seconde position avant qu'il ne passe à la première position un premier gaz dont le taux d'humidité est supérieur à celui de l'atmosphère dans laquelle la platine (23) est située. 水と反応して加熱されることで露光部または未露光部の現像液に対する溶解性が変化する露光済みのレジストが表面に形成された基板を熱処理するにあたって、当該溶解性の変化を促進することができる技術を提供する。 このために、熱処理装置は、前記基板（Ｗ）を載置して加熱するステージ（２３）と、前記基板（Ｗ）を前記ステージ（２３）に載置される第１の位置と、当該ステージから離れた第２の位置との間で相対的に昇降させる昇降機構（２６）と、前記第１の位置に移動する前の前記第２の位置に位置する前記基板（Ｗ）に、前記ステージ（２３）が設けられる雰囲気よりも湿度が高い第１のガスを供給するガス供給部（３３）と、を備える。