POWER MODULE

Es wird ein Leistungsmodul (1) beschrieben, umfassend ein Substrat (2) sowie mindestens einen auf einer Unterseite des Substrats (2) angeordneten Leistungstransistor (3). Das Leistungsmodul umfasst mindestens einen mit dem Substrat (2) verbundenen Leistungsanschluss (4, 5, 6). Die Temperaturmessung des Leistungstransistors ist im Stand der Technik entweder ungenau oder erfordert einen komplizierteren Aufbau des Leistungstransistors. Erfindungsgemäß wird eine Leiterschleife (8) zur Temperaturmessung auf einer dem Leistungstransistor (3) gegenüberliegenden Oberseite oder inneren oder äußeren Substratschicht (12) angeordnet. Dadurch kann die Temperatur näher an der Quelle der Wärme gemessen werden und ist dadurch genauer, ohne den Aufbau des Leistungsmoduls deutlich zu verkomplizieren. What is described is a power module (1) comprising a substrate (2) and at least one power transistor (3) arranged on a bottom side of the substrate (2). The power module comprises at least one power connection (4, 5, 6) connected to the substrate (2). The temperature measurement of the power transistor in the prior art is either inaccurate or requires a complicated power transistor structure. According to the invention, a conductor loop (8) for measuring the temperature is arranged on a top side opposite the power transistor (3) or on an inner or outer substrate layer (12). The temperature is thereby able to be measured closer to the heat source and is thereby more accurate, without significantly complicating the structure of the power module. Un module de puissance (1) comprenant un substrat (2) et au moins un transistor de puissance (3), disposé sur un côté inférieur du substrat (2) est décrit. Le module de puissance comprend au moins une connexion électrique (4, 5, 6), reliée au substrat (2). La mesure de température du transistor de puissance dans l'état de la technique est soit imprécise, soit nécessite une structure compliquée de transistor de puissance. Selon l'invention, une boucle conductrice (8), destinée à mesurer la température, est disposée sur un côté supérieur, opposé au transistor de puissance (3), ou sur une couche intérieure ou extérieure de substrat (12). La température peut ainsi se mesurer relativement près de la source de chaleur et donc précisément, sans compliquer significativement la structure du module de puissance.