SUSCEPTOR FOR A CVD REACTOR
Die Erfindung betrifft einen CVD-Reaktor mit einem von einem Drehantrieb (24) um eine Drehachse (A) drehantreibbaren Suszeptor (2), mit einer zu einer Prozesskammer (4) weisenden ersten Breitseitenfläche (2'), auf der eine Vielzahl von Lagerplätzen (22) zur Aufnahme zu behandelnden Substraten (...
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|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre ; ger |
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| creator | KRÜCKEN, Wilhelm Josef Thomas |
| description | Die Erfindung betrifft einen CVD-Reaktor mit einem von einem Drehantrieb (24) um eine Drehachse (A) drehantreibbaren Suszeptor (2), mit einer zu einer Prozesskammer (4) weisenden ersten Breitseitenfläche (2'), auf der eine Vielzahl von Lagerplätzen (22) zur Aufnahme zu behandelnden Substraten (21) um die Drehachse (A) herum angeordnet sind, mit einer von der ersten Breitseitenfläche wegweisenden zweiten Breitseitenfläche (2''), der eine Heizeinrichtung (8) zum Aufheizen des Suszeptors (2) auf eine Prozesstemperatur gegenüberliegt und mit in einen Abstandsraum zwischen der Heizeinrichtung (8) und der zweiten Breitseitenfläche (2'') des Suszeptors (2) mündenden Gasaustrittsöffnungen (10, 15, 18) zur Einspeisung eines Temperiergases in den Abstandsraum. Um den Wärmetransport zwischen Heizeinrichtung (8) und Suszeptor (2) lokal beeinflussen zu können, ist vorgesehen, dass die Gasaustrittsöffnungen (10, 15, 18) in der zweiten Breitseitenfläche (2'') des Suszeptors (2) angeordnet sind und jedem Lagerplatz (22) zumindest eine der Gasaustrittsöffnungen (10, 15, 18) räumlich zugeordnet ist.
The invention relates to a CVD reactor comprising a susceptor (2) that can be rotationally driven about an axis of rotation (A) by a rotary drive (24), comprising first broadside surface (2') pointing towards a process chamber (4), on which a plurality of storage locations (22) for receiving the substrates (21) to be treated are arranged about the axis of rotation (A), comprising a second broadside surface (2'') pointing away from the first broadside surface, which is opposite a heating device (8) for heating the susceptor (2) to a process temperature, and comprising gas outlet openings (10, 15, 18) feeding into a spacing area between the heating device (8) and the second broadside surface (2'') of the susceptor (2) for feeding a temperature-control gas into the spacing area. According to the invention, in order to be able to locally influence the heat transfer between the heating device (8) and the susceptor (2), the gas outlet openings (10, 15, 18) are arranged in the second broadside surface (2'') of the susceptor (2) and at least one of the gas outlet openings (10, 15, 18) is spatially assigned to each storage location (22).
L'invention concerne un réacteur CVD comprenant un suscepteur (2) pouvant être entraîné en rotation autour d'un axe de rotation (A) par un entraînement rotatif (24), comprenant une première surface latérale large (2') pointant vers une chambre de traitem |
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The invention relates to a CVD reactor comprising a susceptor (2) that can be rotationally driven about an axis of rotation (A) by a rotary drive (24), comprising first broadside surface (2') pointing towards a process chamber (4), on which a plurality of storage locations (22) for receiving the substrates (21) to be treated are arranged about the axis of rotation (A), comprising a second broadside surface (2'') pointing away from the first broadside surface, which is opposite a heating device (8) for heating the susceptor (2) to a process temperature, and comprising gas outlet openings (10, 15, 18) feeding into a spacing area between the heating device (8) and the second broadside surface (2'') of the susceptor (2) for feeding a temperature-control gas into the spacing area. According to the invention, in order to be able to locally influence the heat transfer between the heating device (8) and the susceptor (2), the gas outlet openings (10, 15, 18) are arranged in the second broadside surface (2'') of the susceptor (2) and at least one of the gas outlet openings (10, 15, 18) is spatially assigned to each storage location (22).
L'invention concerne un réacteur CVD comprenant un suscepteur (2) pouvant être entraîné en rotation autour d'un axe de rotation (A) par un entraînement rotatif (24), comprenant une première surface latérale large (2') pointant vers une chambre de traitement (4), sur laquelle une pluralité d'emplacements de stockage (22) pour recevoir les substrats (21) à traiter sont disposés autour de l'axe de rotation (A), comprenant une seconde surface latérale large (2'') orientée à l'opposé de la première surface latérale, qui est opposée à un dispositif de chauffage (8) pour chauffer le suscepteur (2) à une température de traitement, et comprenant des ouvertures de sortie de gaz (10, 15, 18) débouchant dans une zone d'espacement entre le dispositif de chauffage (8) et la seconde surface latérale large (2'') du suscepteur (2) pour amener un gaz de régulation de température dans la zone d'espacement. Selon l'invention, afin de pouvoir influencer localement le transfert de chaleur entre le dispositif de chauffage (8) et le suscepteur (2), les ouvertures de sortie de gaz (10, 15, 18) sont disposées dans la seconde surface latérale large (2'') du suscepteur (2) et au moins une des ouvertures de sortie de gaz (10, 15 18) est spatialement attribuée à chaque emplacement de stockage (22).</description><language>eng ; fre ; ger</language><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE ; APPARATUS THEREFOR ; CHEMICAL SURFACE TREATMENT ; CHEMISTRY ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL ; COATING METALLIC MATERIAL ; CRYSTAL GROWTH ; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL ; METALLURGY ; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL ; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH ; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION ; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><creationdate>2021</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20210923&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2021185769A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,778,883,25547,76298</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20210923&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2021185769A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>KRÜCKEN, Wilhelm Josef Thomas</creatorcontrib><title>SUSCEPTOR FOR A CVD REACTOR</title><description>Die Erfindung betrifft einen CVD-Reaktor mit einem von einem Drehantrieb (24) um eine Drehachse (A) drehantreibbaren Suszeptor (2), mit einer zu einer Prozesskammer (4) weisenden ersten Breitseitenfläche (2'), auf der eine Vielzahl von Lagerplätzen (22) zur Aufnahme zu behandelnden Substraten (21) um die Drehachse (A) herum angeordnet sind, mit einer von der ersten Breitseitenfläche wegweisenden zweiten Breitseitenfläche (2''), der eine Heizeinrichtung (8) zum Aufheizen des Suszeptors (2) auf eine Prozesstemperatur gegenüberliegt und mit in einen Abstandsraum zwischen der Heizeinrichtung (8) und der zweiten Breitseitenfläche (2'') des Suszeptors (2) mündenden Gasaustrittsöffnungen (10, 15, 18) zur Einspeisung eines Temperiergases in den Abstandsraum. Um den Wärmetransport zwischen Heizeinrichtung (8) und Suszeptor (2) lokal beeinflussen zu können, ist vorgesehen, dass die Gasaustrittsöffnungen (10, 15, 18) in der zweiten Breitseitenfläche (2'') des Suszeptors (2) angeordnet sind und jedem Lagerplatz (22) zumindest eine der Gasaustrittsöffnungen (10, 15, 18) räumlich zugeordnet ist.
The invention relates to a CVD reactor comprising a susceptor (2) that can be rotationally driven about an axis of rotation (A) by a rotary drive (24), comprising first broadside surface (2') pointing towards a process chamber (4), on which a plurality of storage locations (22) for receiving the substrates (21) to be treated are arranged about the axis of rotation (A), comprising a second broadside surface (2'') pointing away from the first broadside surface, which is opposite a heating device (8) for heating the susceptor (2) to a process temperature, and comprising gas outlet openings (10, 15, 18) feeding into a spacing area between the heating device (8) and the second broadside surface (2'') of the susceptor (2) for feeding a temperature-control gas into the spacing area. According to the invention, in order to be able to locally influence the heat transfer between the heating device (8) and the susceptor (2), the gas outlet openings (10, 15, 18) are arranged in the second broadside surface (2'') of the susceptor (2) and at least one of the gas outlet openings (10, 15, 18) is spatially assigned to each storage location (22).
L'invention concerne un réacteur CVD comprenant un suscepteur (2) pouvant être entraîné en rotation autour d'un axe de rotation (A) par un entraînement rotatif (24), comprenant une première surface latérale large (2') pointant vers une chambre de traitement (4), sur laquelle une pluralité d'emplacements de stockage (22) pour recevoir les substrats (21) à traiter sont disposés autour de l'axe de rotation (A), comprenant une seconde surface latérale large (2'') orientée à l'opposé de la première surface latérale, qui est opposée à un dispositif de chauffage (8) pour chauffer le suscepteur (2) à une température de traitement, et comprenant des ouvertures de sortie de gaz (10, 15, 18) débouchant dans une zone d'espacement entre le dispositif de chauffage (8) et la seconde surface latérale large (2'') du suscepteur (2) pour amener un gaz de régulation de température dans la zone d'espacement. Selon l'invention, afin de pouvoir influencer localement le transfert de chaleur entre le dispositif de chauffage (8) et le suscepteur (2), les ouvertures de sortie de gaz (10, 15, 18) sont disposées dans la seconde surface latérale large (2'') du suscepteur (2) et au moins une des ouvertures de sortie de gaz (10, 15 18) est spatialement attribuée à chaque emplacement de stockage (22).</description><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE</subject><subject>APPARATUS THEREFOR</subject><subject>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</subject><subject>COATING METALLIC MATERIAL</subject><subject>CRYSTAL GROWTH</subject><subject>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</subject><subject>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL</subject><subject>SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>SINGLE-CRYSTAL-GROWTH</subject><subject>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><subject>UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2021</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZJAODg12dg0I8Q9ScANiRwXnMBeFIFdHZ6AIDwNrWmJOcSovlOZmUHZzDXH20E0tyI9PLS5ITE7NSy2JD_c3MjAyNLQwNTezdDQ0Jk4VAMj1IWE</recordid><startdate>20210923</startdate><enddate>20210923</enddate><creator>KRÜCKEN, Wilhelm Josef Thomas</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20210923</creationdate><title>SUSCEPTOR FOR A CVD REACTOR</title><author>KRÜCKEN, Wilhelm Josef Thomas</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2021185769A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre ; ger</language><creationdate>2021</creationdate><topic>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE</topic><topic>APPARATUS THEREFOR</topic><topic>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</topic><topic>COATING METALLIC MATERIAL</topic><topic>CRYSTAL GROWTH</topic><topic>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</topic><topic>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</topic><topic>REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL</topic><topic>SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</topic><topic>SINGLE-CRYSTAL-GROWTH</topic><topic>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</topic><topic>UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>KRÜCKEN, Wilhelm Josef Thomas</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>KRÜCKEN, Wilhelm Josef Thomas</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>SUSCEPTOR FOR A CVD REACTOR</title><date>2021-09-23</date><risdate>2021</risdate><abstract>Die Erfindung betrifft einen CVD-Reaktor mit einem von einem Drehantrieb (24) um eine Drehachse (A) drehantreibbaren Suszeptor (2), mit einer zu einer Prozesskammer (4) weisenden ersten Breitseitenfläche (2'), auf der eine Vielzahl von Lagerplätzen (22) zur Aufnahme zu behandelnden Substraten (21) um die Drehachse (A) herum angeordnet sind, mit einer von der ersten Breitseitenfläche wegweisenden zweiten Breitseitenfläche (2''), der eine Heizeinrichtung (8) zum Aufheizen des Suszeptors (2) auf eine Prozesstemperatur gegenüberliegt und mit in einen Abstandsraum zwischen der Heizeinrichtung (8) und der zweiten Breitseitenfläche (2'') des Suszeptors (2) mündenden Gasaustrittsöffnungen (10, 15, 18) zur Einspeisung eines Temperiergases in den Abstandsraum. Um den Wärmetransport zwischen Heizeinrichtung (8) und Suszeptor (2) lokal beeinflussen zu können, ist vorgesehen, dass die Gasaustrittsöffnungen (10, 15, 18) in der zweiten Breitseitenfläche (2'') des Suszeptors (2) angeordnet sind und jedem Lagerplatz (22) zumindest eine der Gasaustrittsöffnungen (10, 15, 18) räumlich zugeordnet ist.
The invention relates to a CVD reactor comprising a susceptor (2) that can be rotationally driven about an axis of rotation (A) by a rotary drive (24), comprising first broadside surface (2') pointing towards a process chamber (4), on which a plurality of storage locations (22) for receiving the substrates (21) to be treated are arranged about the axis of rotation (A), comprising a second broadside surface (2'') pointing away from the first broadside surface, which is opposite a heating device (8) for heating the susceptor (2) to a process temperature, and comprising gas outlet openings (10, 15, 18) feeding into a spacing area between the heating device (8) and the second broadside surface (2'') of the susceptor (2) for feeding a temperature-control gas into the spacing area. According to the invention, in order to be able to locally influence the heat transfer between the heating device (8) and the susceptor (2), the gas outlet openings (10, 15, 18) are arranged in the second broadside surface (2'') of the susceptor (2) and at least one of the gas outlet openings (10, 15, 18) is spatially assigned to each storage location (22).
L'invention concerne un réacteur CVD comprenant un suscepteur (2) pouvant être entraîné en rotation autour d'un axe de rotation (A) par un entraînement rotatif (24), comprenant une première surface latérale large (2') pointant vers une chambre de traitement (4), sur laquelle une pluralité d'emplacements de stockage (22) pour recevoir les substrats (21) à traiter sont disposés autour de l'axe de rotation (A), comprenant une seconde surface latérale large (2'') orientée à l'opposé de la première surface latérale, qui est opposée à un dispositif de chauffage (8) pour chauffer le suscepteur (2) à une température de traitement, et comprenant des ouvertures de sortie de gaz (10, 15, 18) débouchant dans une zone d'espacement entre le dispositif de chauffage (8) et la seconde surface latérale large (2'') du suscepteur (2) pour amener un gaz de régulation de température dans la zone d'espacement. Selon l'invention, afin de pouvoir influencer localement le transfert de chaleur entre le dispositif de chauffage (8) et le suscepteur (2), les ouvertures de sortie de gaz (10, 15, 18) sont disposées dans la seconde surface latérale large (2'') du suscepteur (2) et au moins une des ouvertures de sortie de gaz (10, 15 18) est spatialement attribuée à chaque emplacement de stockage (22).</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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