OVERLAY METROLOGY ON BONDED WAFERS

A metrology system for characterizing a sample formed from a first wafer and a second wafer bonded at an interface with a metrology target near the interface may include a metrology tool and a controller. The metrology tool may include one or more illumination sources and an illumination sub-system...

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Hauptverfasser: KRISHNAN, Shankar, WANG, David Y, DE VEER, Johannes D
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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creator KRISHNAN, Shankar
WANG, David Y
DE VEER, Johannes D
description A metrology system for characterizing a sample formed from a first wafer and a second wafer bonded at an interface with a metrology target near the interface may include a metrology tool and a controller. The metrology tool may include one or more illumination sources and an illumination sub-system to direct illumination from the one or more illumination sources to the metrology target, a detector, and a collection sub-system to collect light from the sample. The light collected from the sample may include light from the metrology target and light from a top surface of the first wafer, and the collection sub-system is may direct the light from the metrology target to the detector. The controller may execute program instructions causing the one or more processors to generate estimates of one or more parameters associated with the sample based on data received from the detector. L'invention concerne un système de métrologie pour la caractérisation d'un échantillon formé à partir d'une première tranche et d'une seconde tranche collées au niveau d'une interface avec une cible de métrologie à proximité de l'interface, qui peut comprendre un outil de métrologie et un dispositif de commande. L'outil de métrologie peut comprendre une ou plusieurs sources d'éclairage et un sous-système d'éclairage pour orienter un éclairage provenant des une ou plusieurs sources d'éclairage vers la cible de métrologie, un détecteur, et un sous-système de collecte pour collecter une lumière provenant de l'échantillon. La lumière collectée provenant de l'échantillon peut comprendre une lumière provenant de la cible de métrologie et une lumière provenant d'une surface supérieure de la première tranche, et le sous-système de collecte peut orienter la lumière provenant de la cible de métrologie vers le détecteur. Le dispositif de commande peut exécuter des instructions de programme amenant les un ou plusieurs processeurs à générer des estimations d'un ou de plusieurs paramètres associés à l'échantillon sur la base de données reçues provenant du détecteur.
format Patent
fullrecord <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_WO2021154617A1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>WO2021154617A1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_WO2021154617A13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZFDyD3MN8nGMVPB1DQny9_F3j1Tw91Nw8vdzcXVRCHd0cw0K5mFgTUvMKU7lhdLcDMpuriHOHrqpBfnxqcUFicmpeakl8eH-RgZGhoamJmaG5o6GxsSpAgDK9yNo</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>OVERLAY METROLOGY ON BONDED WAFERS</title><source>esp@cenet</source><creator>KRISHNAN, Shankar ; WANG, David Y ; DE VEER, Johannes D</creator><creatorcontrib>KRISHNAN, Shankar ; WANG, David Y ; DE VEER, Johannes D</creatorcontrib><description>A metrology system for characterizing a sample formed from a first wafer and a second wafer bonded at an interface with a metrology target near the interface may include a metrology tool and a controller. The metrology tool may include one or more illumination sources and an illumination sub-system to direct illumination from the one or more illumination sources to the metrology target, a detector, and a collection sub-system to collect light from the sample. The light collected from the sample may include light from the metrology target and light from a top surface of the first wafer, and the collection sub-system is may direct the light from the metrology target to the detector. The controller may execute program instructions causing the one or more processors to generate estimates of one or more parameters associated with the sample based on data received from the detector. L'invention concerne un système de métrologie pour la caractérisation d'un échantillon formé à partir d'une première tranche et d'une seconde tranche collées au niveau d'une interface avec une cible de métrologie à proximité de l'interface, qui peut comprendre un outil de métrologie et un dispositif de commande. L'outil de métrologie peut comprendre une ou plusieurs sources d'éclairage et un sous-système d'éclairage pour orienter un éclairage provenant des une ou plusieurs sources d'éclairage vers la cible de métrologie, un détecteur, et un sous-système de collecte pour collecter une lumière provenant de l'échantillon. La lumière collectée provenant de l'échantillon peut comprendre une lumière provenant de la cible de métrologie et une lumière provenant d'une surface supérieure de la première tranche, et le sous-système de collecte peut orienter la lumière provenant de la cible de métrologie vers le détecteur. Le dispositif de commande peut exécuter des instructions de programme amenant les un ou plusieurs processeurs à générer des estimations d'un ou de plusieurs paramètres associés à l'échantillon sur la base de données reçues provenant du détecteur.</description><language>eng ; fre</language><subject>MEASURING ; MEASURING ANGLES ; MEASURING AREAS ; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS ; MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEARDIMENSIONS ; PHYSICS ; TESTING</subject><creationdate>2021</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20210805&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2021154617A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76289</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20210805&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2021154617A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>KRISHNAN, Shankar</creatorcontrib><creatorcontrib>WANG, David Y</creatorcontrib><creatorcontrib>DE VEER, Johannes D</creatorcontrib><title>OVERLAY METROLOGY ON BONDED WAFERS</title><description>A metrology system for characterizing a sample formed from a first wafer and a second wafer bonded at an interface with a metrology target near the interface may include a metrology tool and a controller. The metrology tool may include one or more illumination sources and an illumination sub-system to direct illumination from the one or more illumination sources to the metrology target, a detector, and a collection sub-system to collect light from the sample. The light collected from the sample may include light from the metrology target and light from a top surface of the first wafer, and the collection sub-system is may direct the light from the metrology target to the detector. The controller may execute program instructions causing the one or more processors to generate estimates of one or more parameters associated with the sample based on data received from the detector. L'invention concerne un système de métrologie pour la caractérisation d'un échantillon formé à partir d'une première tranche et d'une seconde tranche collées au niveau d'une interface avec une cible de métrologie à proximité de l'interface, qui peut comprendre un outil de métrologie et un dispositif de commande. L'outil de métrologie peut comprendre une ou plusieurs sources d'éclairage et un sous-système d'éclairage pour orienter un éclairage provenant des une ou plusieurs sources d'éclairage vers la cible de métrologie, un détecteur, et un sous-système de collecte pour collecter une lumière provenant de l'échantillon. La lumière collectée provenant de l'échantillon peut comprendre une lumière provenant de la cible de métrologie et une lumière provenant d'une surface supérieure de la première tranche, et le sous-système de collecte peut orienter la lumière provenant de la cible de métrologie vers le détecteur. Le dispositif de commande peut exécuter des instructions de programme amenant les un ou plusieurs processeurs à générer des estimations d'un ou de plusieurs paramètres associés à l'échantillon sur la base de données reçues provenant du détecteur.</description><subject>MEASURING</subject><subject>MEASURING ANGLES</subject><subject>MEASURING AREAS</subject><subject>MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS</subject><subject>MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEARDIMENSIONS</subject><subject>PHYSICS</subject><subject>TESTING</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2021</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZFDyD3MN8nGMVPB1DQny9_F3j1Tw91Nw8vdzcXVRCHd0cw0K5mFgTUvMKU7lhdLcDMpuriHOHrqpBfnxqcUFicmpeakl8eH-RgZGhoamJmaG5o6GxsSpAgDK9yNo</recordid><startdate>20210805</startdate><enddate>20210805</enddate><creator>KRISHNAN, Shankar</creator><creator>WANG, David Y</creator><creator>DE VEER, Johannes D</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20210805</creationdate><title>OVERLAY METROLOGY ON BONDED WAFERS</title><author>KRISHNAN, Shankar ; WANG, David Y ; DE VEER, Johannes D</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2021154617A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2021</creationdate><topic>MEASURING</topic><topic>MEASURING ANGLES</topic><topic>MEASURING AREAS</topic><topic>MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS</topic><topic>MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEARDIMENSIONS</topic><topic>PHYSICS</topic><topic>TESTING</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>KRISHNAN, Shankar</creatorcontrib><creatorcontrib>WANG, David Y</creatorcontrib><creatorcontrib>DE VEER, Johannes D</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>KRISHNAN, Shankar</au><au>WANG, David Y</au><au>DE VEER, Johannes D</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>OVERLAY METROLOGY ON BONDED WAFERS</title><date>2021-08-05</date><risdate>2021</risdate><abstract>A metrology system for characterizing a sample formed from a first wafer and a second wafer bonded at an interface with a metrology target near the interface may include a metrology tool and a controller. The metrology tool may include one or more illumination sources and an illumination sub-system to direct illumination from the one or more illumination sources to the metrology target, a detector, and a collection sub-system to collect light from the sample. The light collected from the sample may include light from the metrology target and light from a top surface of the first wafer, and the collection sub-system is may direct the light from the metrology target to the detector. The controller may execute program instructions causing the one or more processors to generate estimates of one or more parameters associated with the sample based on data received from the detector. L'invention concerne un système de métrologie pour la caractérisation d'un échantillon formé à partir d'une première tranche et d'une seconde tranche collées au niveau d'une interface avec une cible de métrologie à proximité de l'interface, qui peut comprendre un outil de métrologie et un dispositif de commande. L'outil de métrologie peut comprendre une ou plusieurs sources d'éclairage et un sous-système d'éclairage pour orienter un éclairage provenant des une ou plusieurs sources d'éclairage vers la cible de métrologie, un détecteur, et un sous-système de collecte pour collecter une lumière provenant de l'échantillon. La lumière collectée provenant de l'échantillon peut comprendre une lumière provenant de la cible de métrologie et une lumière provenant d'une surface supérieure de la première tranche, et le sous-système de collecte peut orienter la lumière provenant de la cible de métrologie vers le détecteur. Le dispositif de commande peut exécuter des instructions de programme amenant les un ou plusieurs processeurs à générer des estimations d'un ou de plusieurs paramètres associés à l'échantillon sur la base de données reçues provenant du détecteur.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
fulltext fulltext_linktorsrc
identifier
ispartof
issn
language eng ; fre
recordid cdi_epo_espacenet_WO2021154617A1
source esp@cenet
subjects MEASURING
MEASURING ANGLES
MEASURING AREAS
MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEARDIMENSIONS
PHYSICS
TESTING
title OVERLAY METROLOGY ON BONDED WAFERS
url https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-02-12T10%3A39%3A20IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=KRISHNAN,%20Shankar&rft.date=2021-08-05&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EWO2021154617A1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true