MEMORY DEVICES AND METHODS OF FORMING MEMORY DEVICES

Some embodiments include a method of forming a memory device. An assembly is formed to have channel structures extending through a stack of alternating insulative and conductive levels and into a first material under the stack. The assembly is inverted so that the first material is above the stack, and so that first regions of the channel structures are under the stack. At least some of the first regions are electrically coupled with control circuitry. At least some of the first material is removed, and second regions of the channel structures are exposed. Conductively-doped semiconductor material is formed adjacent the exposed second regions of the channel structures. Dopant is out-diffused from the conductively-doped semiconductor material into the channel structures. Some embodiments include memory devices (e.g., NAND memory assemblies). Certains modes de réalisation de l'invention concernent un procédé de formation d'un dispositif de mémoire. Un ensemble est formé pour avoir des structures de canal s'étendant à travers un empilement de niveaux isolants et conducteurs alternés et dans un premier matériau sous l'empilement. L'ensemble est inversé de telle sorte que le premier matériau se trouve au-dessus de l'empilement, et de telle sorte que des premières régions des structures de canal sont sous l'empilement. Au moins certaines des premières régions sont électriquement couplées à des circuits de commande. Au moins une partie du premier matériau est retirée, et des secondes régions des structures de canal sont exposées. Un matériau semi-conducteur dopé de manière conductrice est formé de manière adjacente aux secondes régions exposées des structures de canal. Un dopant est diffusé hors du matériau semi-conducteur dopé de manière conductrice jusque dans les structures de canal. Certains modes de réalisation de l'invention concernent des dispositifs de mémoire (par exemple, des ensembles mémoires NON-ET).