TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE, PRODUCTION METHOD FOR TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS

The present invention addresses the problem of disposing an optical element on the lower surface side of transistors without being influenced by heat treatment in a transistor forming process such that peeling, positional displacement, and the like do not easily occur. This transistor array substrat...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: MAEDA Keiichi, SAKAIRI Takashi, AMARI Koichi, NAKANO Shintaro, TORIYAMA Akiko, TANAKA Tsutomu, KAJIYA Yoshihiko, TSUNO Hitoshi, OKAZAKI Tsuyoshi, YAGI Yoshitaka, NAGASAWA Koichi
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:The present invention addresses the problem of disposing an optical element on the lower surface side of transistors without being influenced by heat treatment in a transistor forming process such that peeling, positional displacement, and the like do not easily occur. This transistor array substrate is provided with a first substrate (110) having transistors (113) disposed in an array, and a second substrate (120) having an optical element (122). The transistors are disposed on the front surface side of the first substrate, and the second substrate is bonded to a back surface of the first substrate by plasma joining processing. La présente invention aborde le problème de la disposition d'un élément optique sur le côté de surface inférieure de transistors sans être influencé par un traitement thermique dans un procédé de formation de transistor de telle sorte que le décollement, le déplacement de position et similaires ne se produisent pas facilement. Le substrat de réseau de transistors de l'invention est pourvu d'un premier substrat (110) ayant des transistors (113) agencés dans un réseau et d'un second substrat (120) ayant un élément optique (122). Les transistors sont agencés sur le côté de la surface avant du premier substrat et le second substrat est lié à une surface arrière du premier substrat par traitement de jonction au plasma. トランジスタ形成プロセスにおける熱処理の影響を受けることなく、また、剥離や位置ずれといったことが生じ難いように、トランジスタの下層側に光学素子を配することを課題とする。 トランジスタアレイ基板は、アレイ状に配置されたトランジスタ(113)を有する第1基板(110)と、光学素子(122)を有する第2基板(120)と、を備えており、トランジスタは第1基板のおもて面側に配置されており、第2基板は、プラズマ接合処理によって、第1基板のうら面に貼り合わされている。