METHODS TO GROW LOW RESISTIVITY METAL CONTAINING FILMS

The use of a cyclic 1,4-diene reducing agent with a metal precursor and a reactant to form metal-containing films are described. Methods of forming the metal-containing film comprises exposing a substrate surface to a metal precursor, a reducing agent and a reactant either simultaneously, partially...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: JAIN, Pratham, SALY, Mark, KALUTARAGE, Lakmal C, ANTHIS, Jeffrey W, THOMPSON, David, WU, Liqi, CHANG, Mei
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:The use of a cyclic 1,4-diene reducing agent with a metal precursor and a reactant to form metal-containing films are described. Methods of forming the metal-containing film comprises exposing a substrate surface to a metal precursor, a reducing agent and a reactant either simultaneously, partially simultaneously or separately and sequentially to form the metal-containing film. L'invention concerne l'utilisation d'un agent réducteur à 1,4-diène cyclique conjointement avec un précurseur de métal et un réactif pour former des films contenant un métal. Des procédés de formation du film contenant un métal consistent en l'exposition d'une surface de substrat à un précurseur de métal, un agent réducteur et un réactif soit simultanément, soit partiellement simultanément, soit séparément et séquentiellement pour former le film contenant un métal.