ELECTRONIC DEVICES COMPRISING METAL OXIDE MATERIALS AND RELATED METHODS AND SYSTEMS

An electronic device comprising a stack structure comprising one or more stacks of materials and a metal oxide material adjacent to the stacks of materials. The materials of the stacks comprise one or more chalcogenide materials. The metal oxide material comprises aluminum oxide, aluminum silicate,...

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Hauptverfasser: SARKAR, Santanu, SAXLER, Adam W, GOTTI, Andrea, GRUBBS, Robert K, GOOD, Farrell M
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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creator SARKAR, Santanu
SAXLER, Adam W
GOTTI, Andrea
GRUBBS, Robert K
GOOD, Farrell M
description An electronic device comprising a stack structure comprising one or more stacks of materials and a metal oxide material adjacent to the stacks of materials. The materials of the stacks comprise one or more chalcogenide materials. The metal oxide material comprises aluminum oxide, aluminum silicate, hafnium oxide, hafnium silicate, zirconium oxide, zirconium silicate, or a combination thereof and the metal oxide material extends continuously from an upper portion of the one or more stacks of materials to a lower portion of the one or more stacks of materials. Additional electronic devices are disclosed, as are related systems and methods of forming an electronic device. La présente invention concerne un dispositif électronique comprenant une structure d'empilement comprenant un ou plusieurs empilements de matériaux et un matériau d'oxyde métallique adjacent aux empilements de matériaux. Les matériaux des empilements comprennent un ou plusieurs matériaux de chalcogénure. Le matériau d'oxyde métallique comprend l'oxyde d'aluminium, le silicate d'aluminium, l'oxyde d'hafnium, le silicate d'hafnium, l'oxyde de zirconium, le silicate de zirconium, ou une combinaison de ceux-ci et le matériau d'oxyde métallique s'étend en continu à partir d'une partie supérieure du ou des empilements de matériaux jusqu'à une partie inférieure du ou des empilements de matériaux. La présente invention concerne également des dispositifs électroniques supplémentaires, ainsi que des systèmes et des procédés associés de formation d'un dispositif électronique.
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The materials of the stacks comprise one or more chalcogenide materials. The metal oxide material comprises aluminum oxide, aluminum silicate, hafnium oxide, hafnium silicate, zirconium oxide, zirconium silicate, or a combination thereof and the metal oxide material extends continuously from an upper portion of the one or more stacks of materials to a lower portion of the one or more stacks of materials. Additional electronic devices are disclosed, as are related systems and methods of forming an electronic device. La présente invention concerne un dispositif électronique comprenant une structure d'empilement comprenant un ou plusieurs empilements de matériaux et un matériau d'oxyde métallique adjacent aux empilements de matériaux. Les matériaux des empilements comprennent un ou plusieurs matériaux de chalcogénure. Le matériau d'oxyde métallique comprend l'oxyde d'aluminium, le silicate d'aluminium, l'oxyde d'hafnium, le silicate d'hafnium, l'oxyde de zirconium, le silicate de zirconium, ou une combinaison de ceux-ci et le matériau d'oxyde métallique s'étend en continu à partir d'une partie supérieure du ou des empilements de matériaux jusqu'à une partie inférieure du ou des empilements de matériaux. 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