OPTOELECTRONIC DEVICES MANUFACTURED USING DIFFERENT GROWTH SUBSTRATES

A growth structure having a lattice transition (or graded buffer) or an engineered growth structure with a desired lattice constant, different from a lattice constant of conventional substrates like GaAs, Si, Ge, InP, under a release layer or an etch stop layer is used as a seed crystal for growing optoelectronic devices. The optoelectronic device can be a photovoltaic device having one or more subcells (e.g., lattice-matched or lattice-mismatched subcells). The release layer can be removed using different processes to separate the optoelectronic device from the growth structure, which may be reused, or from the engineered growth structure. When using the etch stop layer, the growth structure or the engineered growth structure may be grinded or etched away. The engineered growth structure may be made from a layer transfer process between two wafers or from a ternary and/or a quaternary material. Methods for making the optoelectronic device are also described. Une structure de croissance ayant un tampon de transition de réseau (ou un tampon à gradient) ou une structure de croissance modifiée ayant une constante de réseau souhaitée, différent d'une constante de réseau de substrats classiques tels que GaAs, Si, Ge, InP, sous une couche de libération ou une couche d'arrêt de gravure est utilisée en tant que germe cristallin pour la croissance de dispositifs optoélectroniques. Le dispositif optoélectronique peut être un dispositif photovoltaïque ayant une ou plusieurs sous-cellules (par exemple, des sous-cellules à réseau apparié ou à désaccord de réseau). La couche de libération peut être retirée à l'aide de différents procédés pour séparer le dispositif optoélectronique de la structure de croissance, qui peut être réutilisée, ou à partir de la structure de croissance modifiée. Lors de l'utilisation de la couche d'arrêt de gravure, la structure de croissance ou la structure de croissance modifiée peut être broyée ou gravée. La structure de croissance modifiée peut être fabriquée à partir d'un procédé de transfert de couche entre deux tranches ou à partir d'un matériau ternaire et/ou quaternaire. L'invention concerne également des procédés de fabrication du dispositif optoélectronique.