FILM-FORMING METHOD AND FILM-FORMING APPARATUS
The present invention comprises: installing, inside a film-forming chamber (2a), at least a vapor deposition material and substrates (S); supplying a gas that does not change the composition of exhaust gas and/or the vapor deposition material to establish, for a first region (A) that includes the su...
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Hauptverfasser: | , , , , |
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre ; jpn |
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