FILM-FORMING METHOD AND FILM-FORMING APPARATUS

The present invention comprises: installing, inside a film-forming chamber (2a), at least a vapor deposition material and substrates (S); supplying a gas that does not change the composition of exhaust gas and/or the vapor deposition material to establish, for a first region (A) that includes the substrates (S) inside the film-forming chamber (2a), an atmosphere of 0.05 to 100 Pa and to establish, for a second region (B) that includes the vapor deposition material inside the film-forming chamber (2a), an atmosphere of no more than 0.05 Pa; and, in this state, using vacuum deposition to vaporize the vapor deposition material in the second region (B) and form a film from the vapor deposition material that has been vaporized onto an object which is subject to deposition in the first region (A). La présente invention comprend : l'installation, à l'intérieur d'une chambre de formation de film (2a), d'au moins un matériau de dépôt en phase vapeur et de substrats (S) ; la fourniture d'un gaz qui ne change pas la composition du gaz d'échappement et/ou du matériau de dépôt en phase vapeur pour établir, pour une première région (A) qui comprend les substrats (S) à l'intérieur de la chambre de formation de film (2a), une atmosphère de 0,05 à 100 Pa et pour établir, pour une seconde région (B) qui comprend le matériau de dépôt en phase vapeur à l'intérieur de la chambre de formation de film (2a), une atmosphère ne dépassant pas 0,05 Pa ; et, dans cet état, l'utilisation du dépôt sous vide pour vaporiser le matériau de dépôt en phase vapeur dans la seconde région (B) et former un film à partir du matériau de dépôt en phase vapeur qui a été vaporisé sur un objet qui est soumis à un dépôt dans la première région (A). 成膜室（２ａ）の内部に少なくとも蒸着材料と基板（Ｓ）を設置し、排気及び／又は蒸着材料の組成を変えないガスの供給により、前記成膜室（２ａ）の内部の前記基板（Ｓ）を含む第１領域（Ａ）を０．０５～１００Ｐａの雰囲気に設定し、前記成膜室（２ａ）の内部の前記蒸着材料を含む第２領域（Ｂ）を０．０５Ｐａ以下の雰囲気に設定し、この状態で、真空蒸着法により、第２領域（Ｂ）において蒸着材料を蒸発させ、第１領域（Ａ）において被蒸着物に蒸発した蒸着材料を成膜する。