VACUUM DEPOSITION METHOD AND VACUUM DEPOSITION DEVICE

The present invention: arranges at least a deposition material and a substrate (S) inside a film formation chamber (2a); sets a first region that includes the substrate (S) inside the film formation chamber (2a) to an atmosphere of 0.5-100 Pa; sets a second region (B) that includes the deposition material inside the film formation chamber (2a) to an atmosphere of no more than 0.05 Pa; and, in this state, forms the deposition material into a film on the substrate (S) by using a vacuum deposition method. Selon la présente invention : au moins un matériau de dépôt et un substrat (S) sont disposés à l'intérieur d'une chambre de formation de film (2a) ; une première région qui comprend le substrat (S) à l'intérieur de la chambre de formation de film (2a) est définie à une atmosphère de 0,5 à 100 Pa ; une seconde région (B) qui comprend le matériau de dépôt à l'intérieur de la chambre de formation de film (2a) est définie à une atmosphère ne dépassant pas 0,05 Pa ; et, dans cet état, le matériau de dépôt est formé en un film sur le substrat (S) par un procédé de dépôt sous vide. 成膜室（２ａ）の内部に少なくとも蒸着材料と基板（Ｓ）を設置し、前記成膜室（２ａ）の内部の前記基板（Ｓ）を含む第１領域（Ａ）を０．５～１００Ｐａの雰囲気に設定し、前記成膜室（２ａ）の内部の前記蒸着材料を含む第２領域（Ｂ）を０．０５Ｐａ以下の雰囲気に設定し、この状態で真空蒸着法により前記基板（Ｓ）に前記蒸着材料を成膜する。