ENHANCEMENT-MODE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS WITH SMALL FIN ISOLATION FEATURES

An enhancement-mode high-electron-mobility transistor (HEMT) having small fin isolation features and methods of fabrication thereof are disclosed. The method of fabrication involves providing semiconductor layers capable of sustaining a two-dimensional electron sheet to enable electrical current to flow through the HEMT, forming a series of trenches and fins in the semiconductor layers over an active area of the semiconductor layers on which a gate contact terminal is to be set down, the fins having widths equal to or less than about 30 nm across, and setting down the gate contact terminal across the fins. L'invention concerne un transistor à mobilité d'électrons élevée (HEMT) à mode d'amélioration ayant des caractéristiques d'isolation de petites ailettes et des procédés de fabrication de celui-ci. Le procédé de fabrication consiste à utiliser des couches semi-conductrices pouvant supporter une feuille d'électrons bidimensionnelle pour permettre au courant électrique de circuler à travers le HEMT, à former une série de tranchées et d'ailettes dans les couches semi-conductrices sur une zone active des couches semi-conductrices sur lesquelles une borne de contact de grille doit être établie, les ailettes ayant des largeurs inférieures ou égales à environ 30 nm à travers celles-ci, et à régler la borne de contact de grille à travers les ailettes.