SEMICONDUCTOR LASER BEAM SHAPER

A semiconductor laser beam shaper includes a VCSEL device and a lens member. The VCSEL device includes a substrate, first-type and second-type doped distributed Bragg reflectors, an active layer, a surface relief layer, a confinement member, and first and second electrodes. The surface relief layer is formed on the second-type doped distributed Bragg reflector and has a thickness equaling to N*λ/4n, where λ is the wavelength of a laser beam generated by the active layer, n is the refractive index of the surface relief layer, and N is a positive integer not less than 3. The confinement member defines an aperture having an aperture width. The lens member has a lens width greater than the aperture width. The VCSEL device has a mesa structure. L'invention concerne un dispositif de mise en forme de faisceau laser à semi-conducteur comprenant un dispositif VCSEL et un élément lentille. Le dispositif VCSEL comprend un substrat, des réflecteurs de Bragg distribués dopés de premier type et de second type, une couche active, une couche de relief de surface, un élément de confinement et des première et seconde électrodes. La couche de relief de surface est formée sur le réflecteur de Bragg distribué dopé de second type et a une épaisseur égale à N*λ/4n, λ étant la longueur d'onde d'un faisceau laser généré par la couche active, n étant l'indice de réfraction de la couche de relief de surface, et n étant un nombre entier positif supérieur ou égal à 3. L'élément de confinement définit une ouverture ayant une largeur d'ouverture. L'élément de lentille a une largeur de lentille supérieure à la largeur d'ouverture. Le dispositif VCSEL a une structure mesa.