WIDEBAND LOW NOISE AMPLIFIER WITH NOISE CANCELLATION

A low noise amplifier (1305) has integral noise cancellation to provide a low noise figure and operation over a frequency range of 0.5GHz - 50GHz. An amplifier amplifies an input signal as well as noise present with the amplified signal and amplified noise being out of phase and in phase, respectively, with the corresponding inputs. A feedback circuit that is non-linear with frequency and which comprises an inductor (L2) in series with a first resistor (R1), and a second resistor (R2) in parallel with the inductor (L2), enables a constant amplification. A summation circuit combines amplified signals with the noise being cancelled since two combined noise signals being summed are 180 degrees out of phase to each other. A secondary amplification stage (1315) provides additional amplification. The amplifier, auxiliary amplifier and the summation device utilize CMOS transistors disposed on an SOI substrate with impedance stabilization over the frequency range. La présente invention concerne un amplificateur à faible bruit (1305) qui a une annulation de bruit intégrale pour fournir une figure à faible bruit et un fonctionnement sur une plage de fréquences de 0,5 GHz à 50 GHz. Un amplificateur amplifie un signal d'entrée ainsi que le bruit présent avec le signal amplifié et le bruit amplifié qui est déphasé et en phase, respectivement, avec les entrées correspondantes. Un circuit de rétroaction qui est non linéaire avec la fréquence et qui comprend une bobine d'induction (L2) en série avec une première résistance (R1), et une seconde résistance (R2) en parallèle avec la bobine d'induction (L2), permet une amplification constante. Un circuit de sommation combine des signaux amplifiés, le bruit étant annulé puisque deux signaux de bruit combinés étant additionnés sont déphasés de 180 degrés l'un par rapport à l'autre. Un étage d'amplification secondaire (1315) fournit une amplification supplémentaire. L'amplificateur, l'amplificateur auxiliaire et le dispositif de sommation utilisent des transistors CMOS disposés sur un substrat SOI avec stabilisation d'impédance sur la plage de fréquences.