THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE CONTAINING DIRECT SOURCE CONTACT STRUCTURE AND METHODS FOR MAKING THE SAME

A source-level sacrificial layer and an alternating stack of insulating layers and sacrificial material layers are formed over a substrate. Memory openings are formed through the alternating stack, and a source cavity is formed by removing the source-level sacrificial layer. A memory film is formally formed by a conformal deposition process, and a source contact layer is formed in the source cavity. Vertical semiconductor channels and drain regions are formed in remaining volumes of the memory openings on sidewalls of the source contact layer. A backside contact via structure is formed through the alternating stack and directly on a sidewall of the source contact layer. L'invention concerne une couche sacrificielle de niveau source et un empilement alterné de couches isolantes et de couches de matériau sacrificiel qui sont formées sur un substrat. Des ouvertures de mémoire sont formées à travers l'empilement alterné, et une cavité de source est formée par retrait de la couche sacrificielle de niveau source. Un film de mémoire est formé de manière formelle par un processus de dépôt conforme, et une couche de contact de source est formée dans la cavité de source. Des canaux à semi-conducteur verticaux et des régions de drain sont formés dans des volumes restants des ouvertures de mémoire sur les parois latérales de la couche de contact de source. Une structure de trou d'interconnexion de contact arrière est formée à travers l'empilement alterné et directement sur une paroi latérale de la couche de contact de source.