ION BEAM ETCHING WITH GAS TREATMENT AND PULSING

One or more layers of a magnetic random access memory (MRAM) stack on a substrate are etched by ion beam etching. An ion beam of an inert gas is generated in an ion beam source chamber and applied to a substrate in a continuous or pulsed manner. Without passing through the ion beam source chamber, a reactive gas is flowed directly into a processing chamber in which the substrate is located, where the reactive gas is pulsed or continuously provided into the processing chamber. The reactive gas may include a carbon-containing gas having a hydroxyl group that is flowed towards the substrate to limit re-deposition of sputtered atoms on exposed surfaces of the substrate from ion beam etching. La présente invention concerne une ou plusieurs couches d'un empilement de mémoire vive magnétique (MRAM) sur un substrat gravées par gravure par faisceau d'ions. Un faisceau d'ions d'un gaz inerte est généré dans une chambre de source de faisceau d'ions et appliqué à un substrat d'une manière continue ou pulsée. Sans passer à travers la chambre de source de faisceau d'ions, un gaz réactif s'écoule directement dans une chambre de traitement dans laquelle se trouve le substrat, le gaz réactif étant pulsé ou fourni en continu dans la chambre de traitement. Le gaz réactif peut comprendre un gaz contenant du carbone ayant un groupe hydroxyle qui est amené à s'écouler vers le substrat pour limiter le re-dépôt d'atomes pulvérisés sur des surfaces exposées du substrat provenant de la gravure par faisceau d'ions.