MULTI-LOCATION GAS INJECTION TO IMPROVE UNIFORMITY IN RAPID ALTERNATING PROCESSES
A gas delivery system configured to provide deposition and etch gases to a processing chamber for a rapid alternating process includes a first valve arranged to provide deposition gas from a deposition gas manifold to a first zone of a gas distribution device via a first orifice and provide the depo...
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|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre |
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| container_end_page | |
|---|---|
| container_issue | |
| container_start_page | |
| container_title | |
| container_volume | |
| creator | MILLER, Alan J MARTIN, Michael John LIN, Frank Y LIU, Jie CHIANG, Conan THIE, William KIM, Jisoo WEI, Lai HAN, Jun Hee Hee CELESTE, Nicholas John |
| description | A gas delivery system configured to provide deposition and etch gases to a processing chamber for a rapid alternating process includes a first valve arranged to provide deposition gas from a deposition gas manifold to a first zone of a gas distribution device via a first orifice and provide the deposition gas from the deposition gas manifold to a second zone of the gas distribution device via a second orifice having a diameters than the first orifice. A second valve is arranged to provide etch gas from the etch gas manifold to the first zone of the gas distribution device via a third orifice and provide the etch gas from the etch gas manifold to the second zone of the gas distribution device via a fourth orifice having a different diameter than the third orifice.
L'invention concerne un système de distribution de gaz configuré pour fournir des gaz de dépôt et de gravure à une chambre de traitement pour un processus alternatif rapide comprenant une première vanne agencée pour fournir un gaz de dépôt d'une rampe d'alimentation en gaz de dépôt à une première zone d'un dispositif de distribution de gaz par l'intermédiaire d'un premier orifice et fournir le gaz de dépôt de la rampe d'alimentation en gaz de dépôt à une seconde zone du dispositif de distribution de gaz par l'intermédiaire d'un second orifice ayant un diamètre inférieur au premier orifice. Une seconde vanne est agencée pour fournir du gaz de gravure de la rampe d'alimentation en gaz de gravure à la première zone du dispositif de distribution de gaz par l'intermédiaire d'un troisième orifice et fournir le gaz de gravure de la rampe d'alimentation en gaz de gravure à la seconde zone du dispositif de distribution de gaz par l'intermédiaire d'un quatrième orifice ayant un diamètre différent du troisième orifice. |
| format | Patent |
| fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_WO2020159791A1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>WO2020159791A1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_WO2020159791A13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZAj0DfUJ8dT18Xd2DPH091NwdwxW8PTzcnUG80L8FTx9A4L8w1wVQv083fyDfD1DIoHyCkGOAZ4uCo4-Ia5BfkCNfu4KQFXOrsHBrsE8DKxpiTnFqbxQmptB2c01xNlDN7UgPz61uCAxOTUvtSQ-3N_IwMjA0NTS3NLQ0dCYOFUAlA0wsQ</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>MULTI-LOCATION GAS INJECTION TO IMPROVE UNIFORMITY IN RAPID ALTERNATING PROCESSES</title><source>esp@cenet</source><creator>MILLER, Alan J ; MARTIN, Michael John ; LIN, Frank Y ; LIU, Jie ; CHIANG, Conan ; THIE, William ; KIM, Jisoo ; WEI, Lai ; HAN, Jun Hee Hee ; CELESTE, Nicholas John</creator><creatorcontrib>MILLER, Alan J ; MARTIN, Michael John ; LIN, Frank Y ; LIU, Jie ; CHIANG, Conan ; THIE, William ; KIM, Jisoo ; WEI, Lai ; HAN, Jun Hee Hee ; CELESTE, Nicholas John</creatorcontrib><description>A gas delivery system configured to provide deposition and etch gases to a processing chamber for a rapid alternating process includes a first valve arranged to provide deposition gas from a deposition gas manifold to a first zone of a gas distribution device via a first orifice and provide the deposition gas from the deposition gas manifold to a second zone of the gas distribution device via a second orifice having a diameters than the first orifice. A second valve is arranged to provide etch gas from the etch gas manifold to the first zone of the gas distribution device via a third orifice and provide the etch gas from the etch gas manifold to the second zone of the gas distribution device via a fourth orifice having a different diameter than the third orifice.
L'invention concerne un système de distribution de gaz configuré pour fournir des gaz de dépôt et de gravure à une chambre de traitement pour un processus alternatif rapide comprenant une première vanne agencée pour fournir un gaz de dépôt d'une rampe d'alimentation en gaz de dépôt à une première zone d'un dispositif de distribution de gaz par l'intermédiaire d'un premier orifice et fournir le gaz de dépôt de la rampe d'alimentation en gaz de dépôt à une seconde zone du dispositif de distribution de gaz par l'intermédiaire d'un second orifice ayant un diamètre inférieur au premier orifice. Une seconde vanne est agencée pour fournir du gaz de gravure de la rampe d'alimentation en gaz de gravure à la première zone du dispositif de distribution de gaz par l'intermédiaire d'un troisième orifice et fournir le gaz de gravure de la rampe d'alimentation en gaz de gravure à la seconde zone du dispositif de distribution de gaz par l'intermédiaire d'un quatrième orifice ayant un diamètre différent du troisième orifice.</description><language>eng ; fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CHEMICAL SURFACE TREATMENT ; CHEMISTRY ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL ; COATING METALLIC MATERIAL ; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL ; METALLURGY ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><creationdate>2020</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20200806&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2020159791A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25543,76293</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20200806&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2020159791A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>MILLER, Alan J</creatorcontrib><creatorcontrib>MARTIN, Michael John</creatorcontrib><creatorcontrib>LIN, Frank Y</creatorcontrib><creatorcontrib>LIU, Jie</creatorcontrib><creatorcontrib>CHIANG, Conan</creatorcontrib><creatorcontrib>THIE, William</creatorcontrib><creatorcontrib>KIM, Jisoo</creatorcontrib><creatorcontrib>WEI, Lai</creatorcontrib><creatorcontrib>HAN, Jun Hee Hee</creatorcontrib><creatorcontrib>CELESTE, Nicholas John</creatorcontrib><title>MULTI-LOCATION GAS INJECTION TO IMPROVE UNIFORMITY IN RAPID ALTERNATING PROCESSES</title><description>A gas delivery system configured to provide deposition and etch gases to a processing chamber for a rapid alternating process includes a first valve arranged to provide deposition gas from a deposition gas manifold to a first zone of a gas distribution device via a first orifice and provide the deposition gas from the deposition gas manifold to a second zone of the gas distribution device via a second orifice having a diameters than the first orifice. A second valve is arranged to provide etch gas from the etch gas manifold to the first zone of the gas distribution device via a third orifice and provide the etch gas from the etch gas manifold to the second zone of the gas distribution device via a fourth orifice having a different diameter than the third orifice.
L'invention concerne un système de distribution de gaz configuré pour fournir des gaz de dépôt et de gravure à une chambre de traitement pour un processus alternatif rapide comprenant une première vanne agencée pour fournir un gaz de dépôt d'une rampe d'alimentation en gaz de dépôt à une première zone d'un dispositif de distribution de gaz par l'intermédiaire d'un premier orifice et fournir le gaz de dépôt de la rampe d'alimentation en gaz de dépôt à une seconde zone du dispositif de distribution de gaz par l'intermédiaire d'un second orifice ayant un diamètre inférieur au premier orifice. Une seconde vanne est agencée pour fournir du gaz de gravure de la rampe d'alimentation en gaz de gravure à la première zone du dispositif de distribution de gaz par l'intermédiaire d'un troisième orifice et fournir le gaz de gravure de la rampe d'alimentation en gaz de gravure à la seconde zone du dispositif de distribution de gaz par l'intermédiaire d'un quatrième orifice ayant un diamètre différent du troisième orifice.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</subject><subject>COATING METALLIC MATERIAL</subject><subject>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2020</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZAj0DfUJ8dT18Xd2DPH091NwdwxW8PTzcnUG80L8FTx9A4L8w1wVQv083fyDfD1DIoHyCkGOAZ4uCo4-Ia5BfkCNfu4KQFXOrsHBrsE8DKxpiTnFqbxQmptB2c01xNlDN7UgPz61uCAxOTUvtSQ-3N_IwMjA0NTS3NLQ0dCYOFUAlA0wsQ</recordid><startdate>20200806</startdate><enddate>20200806</enddate><creator>MILLER, Alan J</creator><creator>MARTIN, Michael John</creator><creator>LIN, Frank Y</creator><creator>LIU, Jie</creator><creator>CHIANG, Conan</creator><creator>THIE, William</creator><creator>KIM, Jisoo</creator><creator>WEI, Lai</creator><creator>HAN, Jun Hee Hee</creator><creator>CELESTE, Nicholas John</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20200806</creationdate><title>MULTI-LOCATION GAS INJECTION TO IMPROVE UNIFORMITY IN RAPID ALTERNATING PROCESSES</title><author>MILLER, Alan J ; MARTIN, Michael John ; LIN, Frank Y ; LIU, Jie ; CHIANG, Conan ; THIE, William ; KIM, Jisoo ; WEI, Lai ; HAN, Jun Hee Hee ; CELESTE, Nicholas John</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2020159791A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2020</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</topic><topic>COATING METALLIC MATERIAL</topic><topic>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><topic>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>MILLER, Alan J</creatorcontrib><creatorcontrib>MARTIN, Michael John</creatorcontrib><creatorcontrib>LIN, Frank Y</creatorcontrib><creatorcontrib>LIU, Jie</creatorcontrib><creatorcontrib>CHIANG, Conan</creatorcontrib><creatorcontrib>THIE, William</creatorcontrib><creatorcontrib>KIM, Jisoo</creatorcontrib><creatorcontrib>WEI, Lai</creatorcontrib><creatorcontrib>HAN, Jun Hee Hee</creatorcontrib><creatorcontrib>CELESTE, Nicholas John</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>MILLER, Alan J</au><au>MARTIN, Michael John</au><au>LIN, Frank Y</au><au>LIU, Jie</au><au>CHIANG, Conan</au><au>THIE, William</au><au>KIM, Jisoo</au><au>WEI, Lai</au><au>HAN, Jun Hee Hee</au><au>CELESTE, Nicholas John</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>MULTI-LOCATION GAS INJECTION TO IMPROVE UNIFORMITY IN RAPID ALTERNATING PROCESSES</title><date>2020-08-06</date><risdate>2020</risdate><abstract>A gas delivery system configured to provide deposition and etch gases to a processing chamber for a rapid alternating process includes a first valve arranged to provide deposition gas from a deposition gas manifold to a first zone of a gas distribution device via a first orifice and provide the deposition gas from the deposition gas manifold to a second zone of the gas distribution device via a second orifice having a diameters than the first orifice. A second valve is arranged to provide etch gas from the etch gas manifold to the first zone of the gas distribution device via a third orifice and provide the etch gas from the etch gas manifold to the second zone of the gas distribution device via a fourth orifice having a different diameter than the third orifice.
L'invention concerne un système de distribution de gaz configuré pour fournir des gaz de dépôt et de gravure à une chambre de traitement pour un processus alternatif rapide comprenant une première vanne agencée pour fournir un gaz de dépôt d'une rampe d'alimentation en gaz de dépôt à une première zone d'un dispositif de distribution de gaz par l'intermédiaire d'un premier orifice et fournir le gaz de dépôt de la rampe d'alimentation en gaz de dépôt à une seconde zone du dispositif de distribution de gaz par l'intermédiaire d'un second orifice ayant un diamètre inférieur au premier orifice. Une seconde vanne est agencée pour fournir du gaz de gravure de la rampe d'alimentation en gaz de gravure à la première zone du dispositif de distribution de gaz par l'intermédiaire d'un troisième orifice et fournir le gaz de gravure de la rampe d'alimentation en gaz de gravure à la seconde zone du dispositif de distribution de gaz par l'intermédiaire d'un quatrième orifice ayant un diamètre différent du troisième orifice.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
| fulltext | fulltext_linktorsrc |
| identifier | |
| ispartof | |
| issn | |
| language | eng ; fre |
| recordid | cdi_epo_espacenet_WO2020159791A1 |
| source | esp@cenet |
| subjects | BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SEMICONDUCTOR DEVICES SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION |
| title | MULTI-LOCATION GAS INJECTION TO IMPROVE UNIFORMITY IN RAPID ALTERNATING PROCESSES |
| url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-25T22%3A24%3A15IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=MILLER,%20Alan%20J&rft.date=2020-08-06&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EWO2020159791A1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |