METHOD FOR PREDICTING RESIST DEFORMATION
A method for determining a deformation of a resist in a patterning process. The method involves obtaining a resist deformation model of a resist having a pattern, the resist deformation model configured to simulate a fluid flow of the resist due to capillary forces acting on a contour of at least on...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre |
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| creator | JEURISSEN, Roger BATISTAKIS, Chrysostomos WINKELS, Koen |
| description | A method for determining a deformation of a resist in a patterning process. The method involves obtaining a resist deformation model of a resist having a pattern, the resist deformation model configured to simulate a fluid flow of the resist due to capillary forces acting on a contour of at least one feature of the pattern; and determining, via the resist deformation model, a deformation of a resist pattern to be developed based on an input pattern to the resist deformation model.
L'invention concerne un procédé de détermination d'une déformation d'une réserve dans un processus de formation de motifs. Le procédé consiste à obtenir un modèle de déformation de réserve d'une réserve ayant un motif, le modèle de déformation de réserve étant conçu pour simuler un écoulement de fluide de la réserve provoqué par des forces capillaires agissant sur un contour d'au moins une caractéristique du motif; et à déterminer, par l'intermédiaire du modèle de déformation de réserve, une déformation d'un motif de réserve à développer sur la base d'un motif d'entrée au modèle de déformation de réserve. |
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L'invention concerne un procédé de détermination d'une déformation d'une réserve dans un processus de formation de motifs. Le procédé consiste à obtenir un modèle de déformation de réserve d'une réserve ayant un motif, le modèle de déformation de réserve étant conçu pour simuler un écoulement de fluide de la réserve provoqué par des forces capillaires agissant sur un contour d'au moins une caractéristique du motif; et à déterminer, par l'intermédiaire du modèle de déformation de réserve, une déformation d'un motif de réserve à développer sur la base d'un motif d'entrée au modèle de déformation de réserve.</description><language>eng ; fre</language><subject>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR ; CINEMATOGRAPHY ; ELECTROGRAPHY ; HOLOGRAPHY ; MATERIALS THEREFOR ; ORIGINALS THEREFOR ; PHOTOGRAPHY ; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES ; PHYSICS</subject><creationdate>2020</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20200709&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2020141056A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20200709&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2020141056A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>JEURISSEN, Roger</creatorcontrib><creatorcontrib>BATISTAKIS, Chrysostomos</creatorcontrib><creatorcontrib>WINKELS, Koen</creatorcontrib><title>METHOD FOR PREDICTING RESIST DEFORMATION</title><description>A method for determining a deformation of a resist in a patterning process. The method involves obtaining a resist deformation model of a resist having a pattern, the resist deformation model configured to simulate a fluid flow of the resist due to capillary forces acting on a contour of at least one feature of the pattern; and determining, via the resist deformation model, a deformation of a resist pattern to be developed based on an input pattern to the resist deformation model.
L'invention concerne un procédé de détermination d'une déformation d'une réserve dans un processus de formation de motifs. Le procédé consiste à obtenir un modèle de déformation de réserve d'une réserve ayant un motif, le modèle de déformation de réserve étant conçu pour simuler un écoulement de fluide de la réserve provoqué par des forces capillaires agissant sur un contour d'au moins une caractéristique du motif; et à déterminer, par l'intermédiaire du modèle de déformation de réserve, une déformation d'un motif de réserve à développer sur la base d'un motif d'entrée au modèle de déformation de réserve.</description><subject>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR</subject><subject>CINEMATOGRAPHY</subject><subject>ELECTROGRAPHY</subject><subject>HOLOGRAPHY</subject><subject>MATERIALS THEREFOR</subject><subject>ORIGINALS THEREFOR</subject><subject>PHOTOGRAPHY</subject><subject>PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES</subject><subject>PHYSICS</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2020</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZNDwdQ3x8HdRcPMPUggIcnXxdA7x9HNXCHIN9gwOUXBxBYr7OoZ4-vvxMLCmJeYUp_JCaW4GZTfXEGcP3dSC_PjU4oLE5NS81JL4cH8jAyMDQxNDA1MzR0Nj4lQBAKF2JQw</recordid><startdate>20200709</startdate><enddate>20200709</enddate><creator>JEURISSEN, Roger</creator><creator>BATISTAKIS, Chrysostomos</creator><creator>WINKELS, Koen</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20200709</creationdate><title>METHOD FOR PREDICTING RESIST DEFORMATION</title><author>JEURISSEN, Roger ; BATISTAKIS, Chrysostomos ; WINKELS, Koen</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2020141056A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2020</creationdate><topic>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR</topic><topic>CINEMATOGRAPHY</topic><topic>ELECTROGRAPHY</topic><topic>HOLOGRAPHY</topic><topic>MATERIALS THEREFOR</topic><topic>ORIGINALS THEREFOR</topic><topic>PHOTOGRAPHY</topic><topic>PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES</topic><topic>PHYSICS</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>JEURISSEN, Roger</creatorcontrib><creatorcontrib>BATISTAKIS, Chrysostomos</creatorcontrib><creatorcontrib>WINKELS, Koen</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>JEURISSEN, Roger</au><au>BATISTAKIS, Chrysostomos</au><au>WINKELS, Koen</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHOD FOR PREDICTING RESIST DEFORMATION</title><date>2020-07-09</date><risdate>2020</risdate><abstract>A method for determining a deformation of a resist in a patterning process. The method involves obtaining a resist deformation model of a resist having a pattern, the resist deformation model configured to simulate a fluid flow of the resist due to capillary forces acting on a contour of at least one feature of the pattern; and determining, via the resist deformation model, a deformation of a resist pattern to be developed based on an input pattern to the resist deformation model.
L'invention concerne un procédé de détermination d'une déformation d'une réserve dans un processus de formation de motifs. Le procédé consiste à obtenir un modèle de déformation de réserve d'une réserve ayant un motif, le modèle de déformation de réserve étant conçu pour simuler un écoulement de fluide de la réserve provoqué par des forces capillaires agissant sur un contour d'au moins une caractéristique du motif; et à déterminer, par l'intermédiaire du modèle de déformation de réserve, une déformation d'un motif de réserve à développer sur la base d'un motif d'entrée au modèle de déformation de réserve.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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