METHOD OF MANUFACTURING A MEMRISTOR HAVING AN ELECTRIC FIELD NANO-CONCENTRATOR

A layer of tantalum oxide and a layer of yttrium-stabilized zirconium dioxide are sequentially formed using magnetron sputtering on the surface of one electrode, said electrode being made of titanium nitride. As tantalum oxide is deposited on said electrode, nitrogen atoms are partially substituted by oxygen atoms and an intermediate interface layer of titanium dioxide is formed, with the formation of electric field nano-concentrators in the form of nano-crystalline inclusions of tantalum in the regions of said interface layer and of the deposited tantalum oxide layer that are adjacent the surface boundary separating said layers. On a formé à la surface de l'une des électrodes en nitrure de titane, successivement et en recourant à une pulvérisation magnétron, une couche d'oxyde de tantale et une couche de zircone stabilisée à l'yttrium. Le dépôt d'oxyde de tantale sur ladite électrode s'accompagne de remplacement partiel des atomes d'azote par des atomes d'oxygène et de formation d'une couche d'interface intermédiaire de dioxyde de titane à la surface de cette électrode avec formation dans les sections de la couche d'interface spécifiée et la couche d'oxyde de tantale déposée adjacente à la limite de surface de leur interface de nanoconcentrateurs de champ électrique sous forme d'inclusions de tantale nanocristallines. На поверхности одного из электродов, изготовленного из нитрида титана последовательно формируют слой оксида тантала и слой диоксида циркония, стабилизированного иттрием, с использованием магнетронного распыления. Осаждение на указанный электрод оксида тантала, сопровождается частичным замещением атомов азота на атомы кислорода и формированием на поверхности этого электрода промежуточного интерфейсного слоя диоксида титана с образованием в участках указанного интерфейсного слоя и осаждаемого слоя оксида тантала, прилежащих к поверхностной границе их раздела, наноконцентраторов электрического поля в виде нанокристаллических включений тантала.