LASER ANNEALING DEVICE
The present invention comprises: a light source unit provided with a semiconductor laser that emits a laser beam; an equalizing element that includes a light incidence surface and a light emission surface facing the light incidence surface, and that is configured so that a laser beam which is direct...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre ; jpn |
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container_end_page | |
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container_issue | |
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container_title | |
container_volume | |
creator | SAWAI, Takuya GOTOH, Jun |
description | The present invention comprises: a light source unit provided with a semiconductor laser that emits a laser beam; an equalizing element that includes a light incidence surface and a light emission surface facing the light incidence surface, and that is configured so that a laser beam which is directly projected from the semiconductor laser is incident on the light incidence surface and the equalized laser beam is emitted from the light emission surface; and an emission-side image forming system that projects the light emission surface of the equalizing element to a surface of a substrate to be processed.
La présente invention comprend : une unité de source de lumière comportant un laser à semi-conducteur qui émet un faisceau laser ; un élément d'égalisation qui comprend une surface d'incidence de lumière et une surface d'émission de lumière faisant face à la surface d'incidence de lumière, et qui est configuré de telle sorte qu'un faisceau laser qui est directement projeté à partir du laser à semi-conducteur est incident sur la surface d'incidence de lumière et que le faisceau laser égalisé est émis à partir de la surface d'émission de lumière ; et un système de formation d'image côté émission qui projette la surface d'émission de lumière de l'élément d'égalisation sur une surface d'un substrat à traiter.
レーザビームを出射する半導体レーザを備える光源部と、光入射面と当該光入射面に対向する光出射面とを有し、光入射面に半導体レーザから直接出射されたレーザビームが入射され、光出射面から均一化されたレーザビームを出射する均一化素子と、この均一化素子の光出射面を被処理基板の表面へ投影する出射側結像系と、を備える。 |
format | Patent |
fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_WO2020129561A1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>WO2020129561A1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_WO2020129561A13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZBDzcQx2DVJw9PNzdfTx9HNXcHEN83R25WFgTUvMKU7lhdLcDMpuriHOHrqpBfnxqcUFicmpeakl8eH-RgZGBoZGlqZmho6GxsSpAgAdhx_Z</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>LASER ANNEALING DEVICE</title><source>esp@cenet</source><creator>SAWAI, Takuya ; GOTOH, Jun</creator><creatorcontrib>SAWAI, Takuya ; GOTOH, Jun</creatorcontrib><description>The present invention comprises: a light source unit provided with a semiconductor laser that emits a laser beam; an equalizing element that includes a light incidence surface and a light emission surface facing the light incidence surface, and that is configured so that a laser beam which is directly projected from the semiconductor laser is incident on the light incidence surface and the equalized laser beam is emitted from the light emission surface; and an emission-side image forming system that projects the light emission surface of the equalizing element to a surface of a substrate to be processed.
La présente invention comprend : une unité de source de lumière comportant un laser à semi-conducteur qui émet un faisceau laser ; un élément d'égalisation qui comprend une surface d'incidence de lumière et une surface d'émission de lumière faisant face à la surface d'incidence de lumière, et qui est configuré de telle sorte qu'un faisceau laser qui est directement projeté à partir du laser à semi-conducteur est incident sur la surface d'incidence de lumière et que le faisceau laser égalisé est émis à partir de la surface d'émission de lumière ; et un système de formation d'image côté émission qui projette la surface d'émission de lumière de l'élément d'égalisation sur une surface d'un substrat à traiter.
レーザビームを出射する半導体レーザを備える光源部と、光入射面と当該光入射面に対向する光出射面とを有し、光入射面に半導体レーザから直接出射されたレーザビームが入射され、光出射面から均一化されたレーザビームを出射する均一化素子と、この均一化素子の光出射面を被処理基板の表面へ投影する出射側結像系と、を備える。</description><language>eng ; fre ; jpn</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; DEVICES USING STIMULATED EMISSION ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2020</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20200625&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2020129561A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25562,76317</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20200625&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2020129561A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>SAWAI, Takuya</creatorcontrib><creatorcontrib>GOTOH, Jun</creatorcontrib><title>LASER ANNEALING DEVICE</title><description>The present invention comprises: a light source unit provided with a semiconductor laser that emits a laser beam; an equalizing element that includes a light incidence surface and a light emission surface facing the light incidence surface, and that is configured so that a laser beam which is directly projected from the semiconductor laser is incident on the light incidence surface and the equalized laser beam is emitted from the light emission surface; and an emission-side image forming system that projects the light emission surface of the equalizing element to a surface of a substrate to be processed.
La présente invention comprend : une unité de source de lumière comportant un laser à semi-conducteur qui émet un faisceau laser ; un élément d'égalisation qui comprend une surface d'incidence de lumière et une surface d'émission de lumière faisant face à la surface d'incidence de lumière, et qui est configuré de telle sorte qu'un faisceau laser qui est directement projeté à partir du laser à semi-conducteur est incident sur la surface d'incidence de lumière et que le faisceau laser égalisé est émis à partir de la surface d'émission de lumière ; et un système de formation d'image côté émission qui projette la surface d'émission de lumière de l'élément d'égalisation sur une surface d'un substrat à traiter.
レーザビームを出射する半導体レーザを備える光源部と、光入射面と当該光入射面に対向する光出射面とを有し、光入射面に半導体レーザから直接出射されたレーザビームが入射され、光出射面から均一化されたレーザビームを出射する均一化素子と、この均一化素子の光出射面を被処理基板の表面へ投影する出射側結像系と、を備える。</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>DEVICES USING STIMULATED EMISSION</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2020</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZBDzcQx2DVJw9PNzdfTx9HNXcHEN83R25WFgTUvMKU7lhdLcDMpuriHOHrqpBfnxqcUFicmpeakl8eH-RgZGBoZGlqZmho6GxsSpAgAdhx_Z</recordid><startdate>20200625</startdate><enddate>20200625</enddate><creator>SAWAI, Takuya</creator><creator>GOTOH, Jun</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20200625</creationdate><title>LASER ANNEALING DEVICE</title><author>SAWAI, Takuya ; GOTOH, Jun</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2020129561A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre ; jpn</language><creationdate>2020</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>DEVICES USING STIMULATED EMISSION</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>SAWAI, Takuya</creatorcontrib><creatorcontrib>GOTOH, Jun</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>SAWAI, Takuya</au><au>GOTOH, Jun</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>LASER ANNEALING DEVICE</title><date>2020-06-25</date><risdate>2020</risdate><abstract>The present invention comprises: a light source unit provided with a semiconductor laser that emits a laser beam; an equalizing element that includes a light incidence surface and a light emission surface facing the light incidence surface, and that is configured so that a laser beam which is directly projected from the semiconductor laser is incident on the light incidence surface and the equalized laser beam is emitted from the light emission surface; and an emission-side image forming system that projects the light emission surface of the equalizing element to a surface of a substrate to be processed.
La présente invention comprend : une unité de source de lumière comportant un laser à semi-conducteur qui émet un faisceau laser ; un élément d'égalisation qui comprend une surface d'incidence de lumière et une surface d'émission de lumière faisant face à la surface d'incidence de lumière, et qui est configuré de telle sorte qu'un faisceau laser qui est directement projeté à partir du laser à semi-conducteur est incident sur la surface d'incidence de lumière et que le faisceau laser égalisé est émis à partir de la surface d'émission de lumière ; et un système de formation d'image côté émission qui projette la surface d'émission de lumière de l'élément d'égalisation sur une surface d'un substrat à traiter.
レーザビームを出射する半導体レーザを備える光源部と、光入射面と当該光入射面に対向する光出射面とを有し、光入射面に半導体レーザから直接出射されたレーザビームが入射され、光出射面から均一化されたレーザビームを出射する均一化素子と、この均一化素子の光出射面を被処理基板の表面へ投影する出射側結像系と、を備える。</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
fulltext | fulltext_linktorsrc |
identifier | |
ispartof | |
issn | |
language | eng ; fre ; jpn |
recordid | cdi_epo_espacenet_WO2020129561A1 |
source | esp@cenet |
subjects | BASIC ELECTRIC ELEMENTS DEVICES USING STIMULATED EMISSION ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES |
title | LASER ANNEALING DEVICE |
url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-14T13%3A58%3A53IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=SAWAI,%20Takuya&rft.date=2020-06-25&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EWO2020129561A1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |