IMAGE-CAPTURE DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE

This image-capture device of an embodiment of the present disclosure comprises: one surface and another surface opposing the one surface which form a light impinging surface; a semiconductor layer having within the one surface a light receiving region in which a plurality of photoelectric conversion...

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1. Verfasser: FUJIMAGARI, Junichiro
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; jpn
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creator FUJIMAGARI, Junichiro
description This image-capture device of an embodiment of the present disclosure comprises: one surface and another surface opposing the one surface which form a light impinging surface; a semiconductor layer having within the one surface a light receiving region in which a plurality of photoelectric conversion units that do photoelectric conversion of impinged light are arranged, and a peripheral region provided around the light receiving region; a through via that penetrates between the one surface and the other surface; a first connection unit that is provided in the peripheral region of the one surface side, and is wider than the through via; a second connection unit that is provided in the peripheral region of the one surface side, and is used for connecting with an external board; a first semiconductor element that has connection wiring that electrically connects the first connection unit, the second connection unit, and the through via; and a second semiconductor element that is mounted on the first semiconductor element by the first connection unit. Un mode de réalisation de la présente invention concerne un dispositif de capture d'image comprenant : une surface et une autre surface opposée à la première surface qui forment une surface d'impact de lumière ; une couche semi-conductrice ayant à l'intérieur de ladite surface une région de réception de lumière dans laquelle une pluralité d'unités de conversion photoélectrique qui réalisent une conversion photoélectrique de la lumière incidente sont agencées, et une région périphérique disposée autour de la région de réception de lumière ; un trou d'interconnexion traversant qui pénètre entre la première surface et l'autre surface ; une première unité de connexion qui est disposée dans la région périphérique du côté de surface, et est plus large que le trou d'interconnexion traversant ; une seconde unité de connexion qui est disposée dans la région périphérique du côté de surface, et qui est utilisée pour se connecter à une carte externe ; un premier élément semi-conducteur qui a un câblage de connexion qui connecte électriquement la première unité de connexion, la seconde unité de connexion et le trou d'interconnexion traversant ; et un second élément semi-conducteur qui est monté sur le premier élément semi-conducteur par la première unité de connexion. 本開示の一実施形態の撮像装置は、光入射面となる一の面および一の面と対向する他の面と、一の面内において、入射した光を光電変換する複数の光電変換部が配列された受光領域および受光領域の周囲に設けられた周辺領域とを有する半導体層と、一の面と他の面との間を貫通する貫通ビアと、一の面側の周辺領域に設けられ、貫通ビアよりも幅の広い第1の
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Un mode de réalisation de la présente invention concerne un dispositif de capture d'image comprenant : une surface et une autre surface opposée à la première surface qui forment une surface d'impact de lumière ; une couche semi-conductrice ayant à l'intérieur de ladite surface une région de réception de lumière dans laquelle une pluralité d'unités de conversion photoélectrique qui réalisent une conversion photoélectrique de la lumière incidente sont agencées, et une région périphérique disposée autour de la région de réception de lumière ; un trou d'interconnexion traversant qui pénètre entre la première surface et l'autre surface ; une première unité de connexion qui est disposée dans la région périphérique du côté de surface, et est plus large que le trou d'interconnexion traversant ; une seconde unité de connexion qui est disposée dans la région périphérique du côté de surface, et qui est utilisée pour se connecter à une carte externe ; un premier élément semi-conducteur qui a un câblage de connexion qui connecte électriquement la première unité de connexion, la seconde unité de connexion et le trou d'interconnexion traversant ; et un second élément semi-conducteur qui est monté sur le premier élément semi-conducteur par la première unité de connexion. 本開示の一実施形態の撮像装置は、光入射面となる一の面および一の面と対向する他の面と、一の面内において、入射した光を光電変換する複数の光電変換部が配列された受光領域および受光領域の周囲に設けられた周辺領域とを有する半導体層と、一の面と他の面との間を貫通する貫通ビアと、一の面側の周辺領域に設けられ、貫通ビアよりも幅の広い第1の接続部と、一の面側の周辺領域に設けられ、外部基板との接続に用いられる第2の接続部と、第1の接続部、第2の接続部および貫通ビアを電気的に接続する接続配線とを有する第1の半導体素子と、第1の接続部により第1の半導体素子に実装された第2の半導体素子とを備える。</description><language>eng ; fre ; jpn</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2020</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20200522&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2020100520A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76290</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20200522&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2020100520A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>FUJIMAGARI, Junichiro</creatorcontrib><title>IMAGE-CAPTURE DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE</title><description>This image-capture device of an embodiment of the present disclosure comprises: one surface and another surface opposing the one surface which form a light impinging surface; a semiconductor layer having within the one surface a light receiving region in which a plurality of photoelectric conversion units that do photoelectric conversion of impinged light are arranged, and a peripheral region provided around the light receiving region; a through via that penetrates between the one surface and the other surface; a first connection unit that is provided in the peripheral region of the one surface side, and is wider than the through via; a second connection unit that is provided in the peripheral region of the one surface side, and is used for connecting with an external board; a first semiconductor element that has connection wiring that electrically connects the first connection unit, the second connection unit, and the through via; and a second semiconductor element that is mounted on the first semiconductor element by the first connection unit. Un mode de réalisation de la présente invention concerne un dispositif de capture d'image comprenant : une surface et une autre surface opposée à la première surface qui forment une surface d'impact de lumière ; une couche semi-conductrice ayant à l'intérieur de ladite surface une région de réception de lumière dans laquelle une pluralité d'unités de conversion photoélectrique qui réalisent une conversion photoélectrique de la lumière incidente sont agencées, et une région périphérique disposée autour de la région de réception de lumière ; un trou d'interconnexion traversant qui pénètre entre la première surface et l'autre surface ; une première unité de connexion qui est disposée dans la région périphérique du côté de surface, et est plus large que le trou d'interconnexion traversant ; une seconde unité de connexion qui est disposée dans la région périphérique du côté de surface, et qui est utilisée pour se connecter à une carte externe ; un premier élément semi-conducteur qui a un câblage de connexion qui connecte électriquement la première unité de connexion, la seconde unité de connexion et le trou d'interconnexion traversant ; et un second élément semi-conducteur qui est monté sur le premier élément semi-conducteur par la première unité de connexion. 本開示の一実施形態の撮像装置は、光入射面となる一の面および一の面と対向する他の面と、一の面内において、入射した光を光電変換する複数の光電変換部が配列された受光領域および受光領域の周囲に設けられた周辺領域とを有する半導体層と、一の面と他の面との間を貫通する貫通ビアと、一の面側の周辺領域に設けられ、貫通ビアよりも幅の広い第1の接続部と、一の面側の周辺領域に設けられ、外部基板との接続に用いられる第2の接続部と、第1の接続部、第2の接続部および貫通ビアを電気的に接続する接続配線とを有する第1の半導体素子と、第1の接続部により第1の半導体素子に実装された第2の半導体素子とを備える。</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2020</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZNDy9HV0d9V1dgwICQ1yVXBxDfN0dlVw9HNRcPVxdQ4J8vfzdIaK8jCwpiXmFKfyQmluBmU31xBnD93Ugvz41OKCxOTUvNSS-HB_IwMjA0MDA1MjA0dDY-JUAQC7aiUY</recordid><startdate>20200522</startdate><enddate>20200522</enddate><creator>FUJIMAGARI, Junichiro</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20200522</creationdate><title>IMAGE-CAPTURE DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE</title><author>FUJIMAGARI, Junichiro</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2020100520A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre ; jpn</language><creationdate>2020</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>FUJIMAGARI, Junichiro</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>FUJIMAGARI, Junichiro</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>IMAGE-CAPTURE DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE</title><date>2020-05-22</date><risdate>2020</risdate><abstract>This image-capture device of an embodiment of the present disclosure comprises: one surface and another surface opposing the one surface which form a light impinging surface; a semiconductor layer having within the one surface a light receiving region in which a plurality of photoelectric conversion units that do photoelectric conversion of impinged light are arranged, and a peripheral region provided around the light receiving region; a through via that penetrates between the one surface and the other surface; a first connection unit that is provided in the peripheral region of the one surface side, and is wider than the through via; a second connection unit that is provided in the peripheral region of the one surface side, and is used for connecting with an external board; a first semiconductor element that has connection wiring that electrically connects the first connection unit, the second connection unit, and the through via; and a second semiconductor element that is mounted on the first semiconductor element by the first connection unit. Un mode de réalisation de la présente invention concerne un dispositif de capture d'image comprenant : une surface et une autre surface opposée à la première surface qui forment une surface d'impact de lumière ; une couche semi-conductrice ayant à l'intérieur de ladite surface une région de réception de lumière dans laquelle une pluralité d'unités de conversion photoélectrique qui réalisent une conversion photoélectrique de la lumière incidente sont agencées, et une région périphérique disposée autour de la région de réception de lumière ; un trou d'interconnexion traversant qui pénètre entre la première surface et l'autre surface ; une première unité de connexion qui est disposée dans la région périphérique du côté de surface, et est plus large que le trou d'interconnexion traversant ; une seconde unité de connexion qui est disposée dans la région périphérique du côté de surface, et qui est utilisée pour se connecter à une carte externe ; un premier élément semi-conducteur qui a un câblage de connexion qui connecte électriquement la première unité de connexion, la seconde unité de connexion et le trou d'interconnexion traversant ; et un second élément semi-conducteur qui est monté sur le premier élément semi-conducteur par la première unité de connexion. 本開示の一実施形態の撮像装置は、光入射面となる一の面および一の面と対向する他の面と、一の面内において、入射した光を光電変換する複数の光電変換部が配列された受光領域および受光領域の周囲に設けられた周辺領域とを有する半導体層と、一の面と他の面との間を貫通する貫通ビアと、一の面側の周辺領域に設けられ、貫通ビアよりも幅の広い第1の接続部と、一の面側の周辺領域に設けられ、外部基板との接続に用いられる第2の接続部と、第1の接続部、第2の接続部および貫通ビアを電気的に接続する接続配線とを有する第1の半導体素子と、第1の接続部により第1の半導体素子に実装された第2の半導体素子とを備える。</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
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