SILICON SOLAR CELL AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF

A silicon solar cell comprises a textured silicon wafer (1) having a specified type of conductivity, to the surface of which a layer (2) of undoped hydrogenated amorphous silicon is applied, on top of which a first layer (3) of doped amorphous silicon having the opposite type of conductivity to that of the wafer is applied to the front surface and lateral surfaces of the wafer, while a second layer (5) of doped amorphous silicon is applied at the rear side, said second layer being formed on top of said first layer (3) on the lateral surfaces of the wafer. The second layer has the same type of conductivity as the wafer. An electrically conductive, transparent, anti-reflective oxide layer (4) is applied on top of the first layer (3) and second layer (5), a gap in the form of an endless transverse groove being formed in said oxide layer around the perimeter of the rear side of the wafer, said groove being filled with a layer (6) of silicon dioxide. Two current-collecting topological structures are formed at the front and rear surfaces on the anti-reflective oxide layer (4) by selective etching of two current-conducting layers that are applied synchronously to the respective surfaces by vacuum deposition. The invention reduces the cost price and increases the reliability of manufacturing. L'invention concerne un élément solaire à base de silicium qui comprend une plaque de silicium texturée (1) ayant un type de conductivité donné, et sur la surface de laquelle est appliquée une couche (2) de silicium hydrogéné amorphe non dopé par-dessus laquelle, sur les surfaces avant et latérales de la plaque, est appliquée une première couche (3) de silicium amorphe dopé ayant un type de conductivité opposé au type de conductivité de la plaque et, sur le côté arrière, une seconde couche (5) de silicium amorphe dopé formée sur les surfaces latérales de la plaque par-dessus ladite première couche (3). La seconde couche possède le même type de polarité que la plaque. Par-dessus les première (3) et seconde (5) couches est appliquée une couche oxyde à faible réflexion transparente et conductrice d'électricité (4) dans laquelle, sur le périmètre du côté arrière de la plaque, se trouve un jour en forme de gorge traversante sans fin rempli d'une couche de dioxyde de silicium (6). Sur la couche d'oxyde à faible réflexion (4) du côté des surfaces avant et arrière, deux structures topologiques de réception de courant sont formées selon un procédé de dopage sélectif des deux couches c