A METHOD FOR FORMING A FILM OF A PEROVSKIT-LIKE MATERIAL

To improve the quality of semiconductor films, to reduce the culling of finished products, the parameters of which do not meet the established requirements in the method of forming a semiconductor film of a perovskite-like material, a layer of a perovskite-like material or a precursor of a perovskite-like material of the predefined thickness is deposited on the substrate, followed by a halogen layer until liquefaction of the layer, then the halogen is gradually removed from the substrate until it is completely removed, ensuring the gradual crystallization of the perovskite-like material on a substrate to form perovskite-like material grains larger than perovskite-like material grains of the original film. Afin d'améliorer la qualité de films semi-conducteurs, de réduire le triage de produits finis, dont les paramètres ne satisfont pas aux exigences établies dans le procédé de formation d'un film semi-conducteur d'un matériau de type pérovskite, une couche d'un matériau de type pérovskite ou un précurseur d'un matériau de type pérovskite de l'épaisseur prédéfinie est déposée sur le substrat, suivie d'une couche d'halogène jusqu'à la liquéfaction de la couche, puis l'halogène est progressivement retiré du substrat jusqu'à ce qu'il soit complètement retiré, assurant la cristallisation progressive du matériau de type pérovskite sur un substrat pour former des grains de matériau de type pérovskite plus grands que les grains de matériau de type pérovskite du film d'origine.