METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOVOLTAIC DEVICES AND PHOTOVOLTAIC DEVICES MADE WITH THE METHOD

The invention relates to a method for manufacturing cristalline photovoltaic devices. The treatment of a semiconductor block (1) that may be a single brick or a stack of wafers is performed through the formation of a peripheral layer (20), e.g. a passivation layer, on at least one side wall (10) of...

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1. Verfasser: STRAHM, Benjamin
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:The invention relates to a method for manufacturing cristalline photovoltaic devices. The treatment of a semiconductor block (1) that may be a single brick or a stack of wafers is performed through the formation of a peripheral layer (20), e.g. a passivation layer, on at least one side wall (10) of said semiconductor block. This treatment is followed by the separation of the semiconductor block into individual semiconductor wafers. The invention relates also to a silicon block (1') and a silicon wafer (100') comprising the peripheral layer on said at least one side wall. The invention is also related to a deposition machine comprising a reactor (30) for realizing said peripheral layer. The invention relates also to the use of a silicon block (1') or a silicon wafer (100') comprising a peripheral layer to its side wall (10, 101), in the manufacturing of solar cells and/or solar modules. L'invention concerne un procédé de fabrication de dispositifs photovoltaïques cristallins. Le traitement d'un bloc semiconducteur (1), qui peut être une brique unique ou un empilement de galettes, est réalisé par la formation d'une couche périphérique (20), par exemple une couche de passivation, sur au moins une paroi latérale (10) dudit bloc semiconducteur. Ce traitement est suivi par la séparation du bloc semiconducteur en galettes de semiconducteur individuelles. L'invention concerne également un bloc de silicium (1') et une galette de silicium (100') comprenant la couche périphérique sur ladite au moins une paroi latérale. L'invention concerne également une machine de dépôt comprenant un réacteur (30) servant à réaliser ladite couche périphérique. L'invention concerne en outre l'utilisation d'un bloc de silicium (1') ou d'une galette de silicium (100') comprenant une couche périphérique sur sa paroi latérale (10, 101) dans la fabrication de cellules solaires et/ou de modules solaires.