DEPOSITION APPARATUS, DEPOSITION SYSTEM, AND METHOD OF DEPOSITING A SEED LAYER
A deposition apparatus is described. The deposition apparatus includes a vacuum chamber sized to accommodate a rectangular large area substrate of generation GEN 2 or higher, and an array of deposition sources having at least a first deposition source, a second deposition source, and a third deposit...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre |
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| creator | LINDENBERG, Ralph |
| description | A deposition apparatus is described. The deposition apparatus includes a vacuum chamber sized to accommodate a rectangular large area substrate of generation GEN 2 or higher, and an array of deposition sources having at least a first deposition source, a second deposition source, and a third deposition source having a target pitch in a first direction, the array of deposition sources being configured to deposit a material in a processing area in the vacuum chamber in a stationary deposition process, wherein a ratio of a deposition source pitch to a deposition source dimension in the first direction is 1.8 or above.
L'invention concerne un appareil de dépôt. L'appareil de dépôt comprend une chambre à vide dimensionnée pour recevoir un substrat rectangulaire de grande surface de génération GEN 2 ou plus, et un réseau de sources de dépôt comportant au moins une première source de dépôt, une deuxième source de dépôt et une troisième source de dépôt ayant un pas cible dans une première direction, le réseau de sources de dépôt étant conçu pour déposer un matériau dans une zone de traitement dans la chambre à vide lors d'un processus de dépôt fixe, un rapport d'un pas de source de dépôt à une dimension de source de dépôt dans la première direction étant de 1,8 ou plus. |
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L'invention concerne un appareil de dépôt. L'appareil de dépôt comprend une chambre à vide dimensionnée pour recevoir un substrat rectangulaire de grande surface de génération GEN 2 ou plus, et un réseau de sources de dépôt comportant au moins une première source de dépôt, une deuxième source de dépôt et une troisième source de dépôt ayant un pas cible dans une première direction, le réseau de sources de dépôt étant conçu pour déposer un matériau dans une zone de traitement dans la chambre à vide lors d'un processus de dépôt fixe, un rapport d'un pas de source de dépôt à une dimension de source de dépôt dans la première direction étant de 1,8 ou plus.</description><language>eng ; fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CHEMICAL SURFACE TREATMENT ; CHEMISTRY ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL ; COATING METALLIC MATERIAL ; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ; ELECTRICITY ; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL ; METALLURGY ; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><creationdate>2020</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20200102&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2020001762A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20200102&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2020001762A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>LINDENBERG, Ralph</creatorcontrib><title>DEPOSITION APPARATUS, DEPOSITION SYSTEM, AND METHOD OF DEPOSITING A SEED LAYER</title><description>A deposition apparatus is described. The deposition apparatus includes a vacuum chamber sized to accommodate a rectangular large area substrate of generation GEN 2 or higher, and an array of deposition sources having at least a first deposition source, a second deposition source, and a third deposition source having a target pitch in a first direction, the array of deposition sources being configured to deposit a material in a processing area in the vacuum chamber in a stationary deposition process, wherein a ratio of a deposition source pitch to a deposition source dimension in the first direction is 1.8 or above.
L'invention concerne un appareil de dépôt. L'appareil de dépôt comprend une chambre à vide dimensionnée pour recevoir un substrat rectangulaire de grande surface de génération GEN 2 ou plus, et un réseau de sources de dépôt comportant au moins une première source de dépôt, une deuxième source de dépôt et une troisième source de dépôt ayant un pas cible dans une première direction, le réseau de sources de dépôt étant conçu pour déposer un matériau dans une zone de traitement dans la chambre à vide lors d'un processus de dépôt fixe, un rapport d'un pas de source de dépôt à une dimension de source de dépôt dans la première direction étant de 1,8 ou plus.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</subject><subject>COATING METALLIC MATERIAL</subject><subject>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</subject><subject>ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2020</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZPBzcQ3wD_YM8fT3U3AMCHAMcgwJDdZRQBINjgwOcfXVUXD0c1HwdQ3x8HdR8HeDK_BzV3BUCHZ1dVHwcYx0DeJhYE1LzClO5YXS3AzKbq4hzh66qQX58anFBYnJqXmpJfHh_kYGRgYGBobmZkaOhsbEqQIAzSAvNQ</recordid><startdate>20200102</startdate><enddate>20200102</enddate><creator>LINDENBERG, Ralph</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20200102</creationdate><title>DEPOSITION APPARATUS, DEPOSITION SYSTEM, AND METHOD OF DEPOSITING A SEED LAYER</title><author>LINDENBERG, Ralph</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2020001762A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2020</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</topic><topic>COATING METALLIC MATERIAL</topic><topic>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</topic><topic>ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>LINDENBERG, Ralph</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>LINDENBERG, Ralph</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>DEPOSITION APPARATUS, DEPOSITION SYSTEM, AND METHOD OF DEPOSITING A SEED LAYER</title><date>2020-01-02</date><risdate>2020</risdate><abstract>A deposition apparatus is described. The deposition apparatus includes a vacuum chamber sized to accommodate a rectangular large area substrate of generation GEN 2 or higher, and an array of deposition sources having at least a first deposition source, a second deposition source, and a third deposition source having a target pitch in a first direction, the array of deposition sources being configured to deposit a material in a processing area in the vacuum chamber in a stationary deposition process, wherein a ratio of a deposition source pitch to a deposition source dimension in the first direction is 1.8 or above.
L'invention concerne un appareil de dépôt. L'appareil de dépôt comprend une chambre à vide dimensionnée pour recevoir un substrat rectangulaire de grande surface de génération GEN 2 ou plus, et un réseau de sources de dépôt comportant au moins une première source de dépôt, une deuxième source de dépôt et une troisième source de dépôt ayant un pas cible dans une première direction, le réseau de sources de dépôt étant conçu pour déposer un matériau dans une zone de traitement dans la chambre à vide lors d'un processus de dépôt fixe, un rapport d'un pas de source de dépôt à une dimension de source de dépôt dans la première direction étant de 1,8 ou plus.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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