METHODS FOR LASER PROCESSING A SUBSTRATE STACK HAVING ONE OR MORE TRANSPARENT WORKPIECES AND A BLACK MATRIX LAYER

A method for laser processing a substrate stack includes forming a defect in a transparent workpiece of the substrate stack having a black matrix layer. Forming the defect includes directing a portion of a pulsed laser beam into the transparent workpiece. The pulsed laser beam includes a wavelength...

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Hauptverfasser: WIELAND, Kristopher Allen, PIECH, Garrett Andrew
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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creator WIELAND, Kristopher Allen
PIECH, Garrett Andrew
description A method for laser processing a substrate stack includes forming a defect in a transparent workpiece of the substrate stack having a black matrix layer. Forming the defect includes directing a portion of a pulsed laser beam into the transparent workpiece. The pulsed laser beam includes a wavelength λ, a spot size w o , and a Rayleigh range Z R that is greater than Formula (I), where FD is a dimensionless divergence factor comprising a value of 10 or greater. The pulsed laser beam directed into the transparent workpiece of the substrate stack forms a pulsed laser beam focal line disposed within the transparent workpiece, where a center of the pulsed laser beam focal line is offset from an edge of the black matrix layer by a distance that is about 20% or less of a total thickness of the substrate stack and generates an induced absorption within the transparent workpiece. La présente invention concerne un procédé de traitement laser d'un empilement de substrats comprenant la formation d'un défaut dans une pièce transparente à travailler de l'empilement de substrats ayant une couche de matrice noire. La formation du défaut comprend l'orientation d'une partie du faisceau laser pulsé dans la pièce transparente à travailler. Le faisceau laser pulsé comprend une longueur d'onde λ, une taille de spot w o , et une plage de Rayleigh Z R qui est supérieure à Formule (I), où FD est un facteur de divergence sans dimension comprenant une valeur de 10 ou plus. Le faisceau laser pulsé dirigé dans la pièce transparente à travailler de l'empilement de substrats forme une ligne focale de faisceau laser pulsé disposée à l'intérieur de la pièce transparente à travailler, où un centre de la ligne focale de faisceau laser pulsé est décalé depuis un bord de la couche de matrice noire d'une distance qui est d'environ 20 % ou moins d'une épaisseur totale de l'empilement de substrats et génère une absorption induite à l'intérieur de la pièce transparente à travailler.
format Patent
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Forming the defect includes directing a portion of a pulsed laser beam into the transparent workpiece. The pulsed laser beam includes a wavelength λ, a spot size w o , and a Rayleigh range Z R that is greater than Formula (I), where FD is a dimensionless divergence factor comprising a value of 10 or greater. The pulsed laser beam directed into the transparent workpiece of the substrate stack forms a pulsed laser beam focal line disposed within the transparent workpiece, where a center of the pulsed laser beam focal line is offset from an edge of the black matrix layer by a distance that is about 20% or less of a total thickness of the substrate stack and generates an induced absorption within the transparent workpiece. La présente invention concerne un procédé de traitement laser d'un empilement de substrats comprenant la formation d'un défaut dans une pièce transparente à travailler de l'empilement de substrats ayant une couche de matrice noire. La formation du défaut comprend l'orientation d'une partie du faisceau laser pulsé dans la pièce transparente à travailler. Le faisceau laser pulsé comprend une longueur d'onde λ, une taille de spot w o , et une plage de Rayleigh Z R qui est supérieure à Formule (I), où FD est un facteur de divergence sans dimension comprenant une valeur de 10 ou plus. Le faisceau laser pulsé dirigé dans la pièce transparente à travailler de l'empilement de substrats forme une ligne focale de faisceau laser pulsé disposée à l'intérieur de la pièce transparente à travailler, où un centre de la ligne focale de faisceau laser pulsé est décalé depuis un bord de la couche de matrice noire d'une distance qui est d'environ 20 % ou moins d'une épaisseur totale de l'empilement de substrats et génère une absorption induite à l'intérieur de la pièce transparente à travailler.</description><language>eng ; fre</language><subject>CHEMISTRY ; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING ; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING ; GLASS ; MACHINE TOOLS ; MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES ; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; METALLURGY ; MINERAL OR SLAG WOOL ; PERFORMING OPERATIONS ; SOLDERING OR UNSOLDERING ; TRANSPORTING ; WELDING ; WORKING BY LASER BEAM</subject><creationdate>2019</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20191226&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2019245815A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20191226&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2019245815A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>WIELAND, Kristopher Allen</creatorcontrib><creatorcontrib>PIECH, Garrett Andrew</creatorcontrib><title>METHODS FOR LASER PROCESSING A SUBSTRATE STACK HAVING ONE OR MORE TRANSPARENT WORKPIECES AND A BLACK MATRIX LAYER</title><description>A method for laser processing a substrate stack includes forming a defect in a transparent workpiece of the substrate stack having a black matrix layer. 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Forming the defect includes directing a portion of a pulsed laser beam into the transparent workpiece. The pulsed laser beam includes a wavelength λ, a spot size w o , and a Rayleigh range Z R that is greater than Formula (I), where FD is a dimensionless divergence factor comprising a value of 10 or greater. The pulsed laser beam directed into the transparent workpiece of the substrate stack forms a pulsed laser beam focal line disposed within the transparent workpiece, where a center of the pulsed laser beam focal line is offset from an edge of the black matrix layer by a distance that is about 20% or less of a total thickness of the substrate stack and generates an induced absorption within the transparent workpiece. La présente invention concerne un procédé de traitement laser d'un empilement de substrats comprenant la formation d'un défaut dans une pièce transparente à travailler de l'empilement de substrats ayant une couche de matrice noire. La formation du défaut comprend l'orientation d'une partie du faisceau laser pulsé dans la pièce transparente à travailler. Le faisceau laser pulsé comprend une longueur d'onde λ, une taille de spot w o , et une plage de Rayleigh Z R qui est supérieure à Formule (I), où FD est un facteur de divergence sans dimension comprenant une valeur de 10 ou plus. Le faisceau laser pulsé dirigé dans la pièce transparente à travailler de l'empilement de substrats forme une ligne focale de faisceau laser pulsé disposée à l'intérieur de la pièce transparente à travailler, où un centre de la ligne focale de faisceau laser pulsé est décalé depuis un bord de la couche de matrice noire d'une distance qui est d'environ 20 % ou moins d'une épaisseur totale de l'empilement de substrats et génère une absorption induite à l'intérieur de la pièce transparente à travailler.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
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